Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере я...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98776 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98776 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-987762016-04-18T03:02:26Z Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере Хайдаров, 3.X. В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. У роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надтонкій – близько 40 мкм газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. Встановлено, що виявлений новий позитивний ефект у вигляді нормальної зміни фотострумів і аномальної зміни темнових струмів, забезпечують розрізнювальну здатність фотографічного процесу у напівпровідниковій іонізаційній камері з надтонкою газорозрядною коміркою. The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission. Within the framework of this work it is installed that discovered new positive effect in the manner of normal change of photocurrent and anomalous change of obscure dark current, provide the allowing ability of photo - process in semiconductor ionization camera with excessively thin gas-discharged cell. 2006 Article Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98776 621.315.592:621.382:621.385 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических
процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом
формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является
автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный
новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. |
| format |
Article |
| author |
Хайдаров, 3.X. |
| spellingShingle |
Хайдаров, 3.X. Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Хайдаров, 3.X. |
| author_sort |
Хайдаров, 3.X. |
| title |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_short |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_full |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_fullStr |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_full_unstemmed |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_sort |
особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2006 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98776 |
| citation_txt |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT hajdarov3x osobennostiavtoélektronnojémissiivsverhtonkomzazoregazorazrâdnojâčejkivpoluprovodnikovojionizacionnojkamere |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:29Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:29Z |
| _version_ |
1796148506663059456 |