2025-02-23T19:01:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98776%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:01:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98776%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T19:01:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T19:01:32-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере

Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере я...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Хайдаров, 3.X.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98776
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-98776
record_format dspace
spelling irk-123456789-987762016-04-18T03:02:26Z Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере Хайдаров, 3.X. В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. У роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надтонкій – близько 40 мкм газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. Встановлено, що виявлений новий позитивний ефект у вигляді нормальної зміни фотострумів і аномальної зміни темнових струмів, забезпечують розрізнювальну здатність фотографічного процесу у напівпровідниковій іонізаційній камері з надтонкою газорозрядною коміркою. The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission. Within the framework of this work it is installed that discovered new positive effect in the manner of normal change of photocurrent and anomalous change of obscure dark current, provide the allowing ability of photo - process in semiconductor ionization camera with excessively thin gas-discharged cell. 2006 Article Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98776 621.315.592:621.382:621.385 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой.
format Article
author Хайдаров, 3.X.
spellingShingle Хайдаров, 3.X.
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
Физическая инженерия поверхности
author_facet Хайдаров, 3.X.
author_sort Хайдаров, 3.X.
title Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
title_short Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
title_full Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
title_fullStr Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
title_full_unstemmed Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
title_sort особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2006
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98776
citation_txt Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT hajdarov3x osobennostiavtoélektronnojémissiivsverhtonkomzazoregazorazrâdnojâčejkivpoluprovodnikovojionizacionnojkamere
first_indexed 2023-10-18T20:00:29Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:29Z
_version_ 1796148506663059456

Similar Items