Формирование высокодисперсного состояния в плазменно-детонационном покрытии из оксида алюминия

• Дата: 2006
• Автори: Погребняк, А.Д., Ильяшенко, М.В., Братушка, С.Н., Понарядов, В.В., Ердыбаева, Н.К.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98782
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Формирование высокодисперсного состояния в плазменно-детонационном покрытии из оксида алюминия / А.Д. Погребняк, М.В. Ильяшенко, С.Н. Братушка, В.В. Понарядов, Н.К. Ердыбаева // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 32–47. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

В работе рассмотрена модель влияния упругого поля на кристаллообразование при полиморфных превращениях. Показано, что при определенном соотношении параметров (температуры и концентрации дефектов) возможно формирование стабильного высокодисперсного состояния. Определен диапазон температур, концентраций дефектов, а также соотношение упругой объемной энергии и объемной теплоты фазового превращения, необходимых для этого. Рассмотрена модель с исчерпывающими примесями, влияющими на поверхностную энергию кристаллов. Стабильное высокодисперсное состояние, полученное в результате воздействия упругого поля, является метастабильным. Оно исчезает при движении выделений новой фазы. Представлена модель диспергирования кристаллов в твердом теле под воздействием поверхностно-активных веществ. Показаны условия, при которых данная схема диспергирования может осуществляться.