Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃

• Дата: 2006
• Автори: Шамирзаев, С.Х., Юсупова, Д.А., Мухамедиев, Э.Д., Онаркулов, К.Э.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98785
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃ / С.Х. Шамирзаев, Д.А. Юсупова, Э.Д. Мухамедиев, К.Э. Онаркулов // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 86–90. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Использование временных рядов и регрессионного анализа, совместно с вычислением размерности вложения “временного ряда” позволило разработать методику определения эффективной плотности электронных поверхностных состояний (ЭПЭПС) в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклической деформации. “Временные ряды” составлены из деформационной зависимости активной и реактивной частей импеданса пленок теллуридов висмута-сурьмы, измеренных в широком частотном диапазоне. Измерены вариации активного сопротивления и емкости нанокристаллических пленок теллуридов висмута-сурьмы при наложении необратимой деформации. По этим вариациям определена ЭПЭПС и найдена ее деформационная зависимость. Процедура определения электронных поверхностных состояний требует высокого уровня автоматизации проводимых измерений. Для каждой частоты, на которой определяется импеданс, требуется измерить более 10³ значений активной и реактивной частей импеданса при наложении деформации.