Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃

Использование временных рядов и регрессионного анализа, совместно с вычислением размерности вложения “временного ряда” позволило разработать методику определения эффективной плотности электронных поверхностных состояний (ЭПЭПС) в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклическо...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2006
Автори:	Шамирзаев, С.Х., Юсупова, Д.А., Мухамедиев, Э.Д., Онаркулов, К.Э.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
Назва видання:	Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98785
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃ / С.Х. Шамирзаев, Д.А. Юсупова, Э.Д. Мухамедиев, К.Э. Онаркулов // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 86–90. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-98785
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-987852016-04-18T03:02:47Z Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃ Шамирзаев, С.Х. Юсупова, Д.А. Мухамедиев, Э.Д. Онаркулов, К.Э. Использование временных рядов и регрессионного анализа, совместно с вычислением размерности вложения “временного ряда” позволило разработать методику определения эффективной плотности электронных поверхностных состояний (ЭПЭПС) в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклической деформации. “Временные ряды” составлены из деформационной зависимости активной и реактивной частей импеданса пленок теллуридов висмута-сурьмы, измеренных в широком частотном диапазоне. Измерены вариации активного сопротивления и емкости нанокристаллических пленок теллуридов висмута-сурьмы при наложении необратимой деформации. По этим вариациям определена ЭПЭПС и найдена ее деформационная зависимость. Процедура определения электронных поверхностных состояний требует высокого уровня автоматизации проводимых измерений. Для каждой частоты, на которой определяется импеданс, требуется измерить более 10³ значений активной и реактивной частей импеданса при наложении деформации. Використання часових рядів і регресивного аналізу, разом з обчисленням розмірності вкладення “часового ряду” дозволило розробити методику визначення ефективної щільності електронних поверхневих станів (ЕЩЕПС) у нанокристалічних напівпровідникових плівках при накладенні циклічної деформації. “Часові ряди” складені з деформаційної залежності активної і реактивної частин імпедансу плівок телуридів вісмуту-сурми, виміряних у широкому частотному діапазоні. Виміряно варіації активного опору і ємності нанокристалічних плівок телуридів вісмуту-сурми при накладенні необоротної деформації. За цими варіаціями визначена ЕЩЕПС і знайдена її деформаційна залежність. Процедура визначення електронних поверхневих станів вимагає високого рівня автоматизації проведених вимірів. Для кожної частоти на якій визначається імпеданс, потрібно вимірити понад 10³ значень активної і реактивної частин імпедансу при накладенні деформації. Use of temporary lines and regression analysis, together with calculation of dimension of an investment “of a temporary line” has allowed to develop a technique of definition of effective density of electronic superficial condition (EDESC) in nanocrystal of semiconductor films at imposing cyclic deformation. “Temporary lines” are made from deformation of dependence of active and jet parts of an impedance films tellurid of vismutantimony measured in a wide frequency range. The variations of active resistance and capacities nanocrystal films tellurid of vismut-antimony are measured at imposing irreversible deformation. On these variations is determined (EDESC) and is found her deformation dependence. The procedure of definition of electronic superficial condition requires a high level of automation of spent measurements. For each frequency on which the impedance is defined, it is required to measure more than 10³ meanings of active and jet parts of an impedance at imposing deformation. 2006 Article Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃ / С.Х. Шамирзаев, Д.А. Юсупова, Э.Д. Мухамедиев, К.Э. Онаркулов // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 86–90. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98785 621.362.1 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Использование временных рядов и регрессионного анализа, совместно с вычислением размерности вложения “временного ряда” позволило разработать методику определения эффективной плотности электронных поверхностных состояний (ЭПЭПС) в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклической деформации. “Временные ряды” составлены из деформационной зависимости активной и реактивной частей импеданса пленок теллуридов висмута-сурьмы, измеренных в широком частотном диапазоне. Измерены вариации активного сопротивления и емкости нанокристаллических пленок теллуридов висмута-сурьмы при наложении необратимой деформации. По этим вариациям определена ЭПЭПС и найдена ее деформационная зависимость. Процедура определения электронных поверхностных состояний требует высокого уровня автоматизации проводимых измерений. Для каждой частоты, на которой определяется импеданс, требуется измерить более 10³ значений активной и реактивной частей импеданса при наложении деформации.
format	Article
author	Шамирзаев, С.Х. Юсупова, Д.А. Мухамедиев, Э.Д. Онаркулов, К.Э.
spellingShingle	Шамирзаев, С.Х. Юсупова, Д.А. Мухамедиев, Э.Д. Онаркулов, К.Э. Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃ Физическая инженерия поверхности
author_facet	Шамирзаев, С.Х. Юсупова, Д.А. Мухамедиев, Э.Д. Онаркулов, К.Э.
author_sort	Шамирзаев, С.Х.
title	Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃
title_short	Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃
title_full	Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃
title_fullStr	Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃
title_full_unstemmed	Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃
title_sort	определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках bi₂te₃ – sb₂te₃
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2006
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98785
citation_txt	Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃ / С.Х. Шамирзаев, Д.А. Юсупова, Э.Д. Мухамедиев, К.Э. Онаркулов // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 86–90. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT šamirzaevsh opredelenieéffektivnojplotnostiélektronnyhpoverhnostnyhsostoânijvnanokristalličeskihplenkahbi2te3sb2te3 AT ûsupovada opredelenieéffektivnojplotnostiélektronnyhpoverhnostnyhsostoânijvnanokristalličeskihplenkahbi2te3sb2te3 AT muhamedievéd opredelenieéffektivnojplotnostiélektronnyhpoverhnostnyhsostoânijvnanokristalličeskihplenkahbi2te3sb2te3 AT onarkulovké opredelenieéffektivnojplotnostiélektronnyhpoverhnostnyhsostoânijvnanokristalličeskihplenkahbi2te3sb2te3
first_indexed	2023-10-18T20:00:30Z
last_indexed	2023-10-18T20:00:30Z
_version_	1796148507620409344

Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃

Репозитарії

Схожі ресурси