Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно S...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98790 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность
данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление
проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор. |
|---|