Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств

Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно S...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автор: Дудин, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98790
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98790
record_format dspace
spelling irk-123456789-987902016-04-18T03:02:51Z Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств Дудин, С.В. Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор. Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться без використання агресивних сполук, які містять хлор і фтор. Technological regimes of anisotropic etching of multilayer GaN-based structures for needs of modern optoelectronics have been developed with use of combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen mixture. Etch rate up to 100 nanometers/ mines have been reached along with selectivity of 6:1 against SiO₂, that shows suitability of the given technology for use in manufacture of white lightemitting diodes. Etching is carried out without use of aggressive gases containing chlorine and a fluorine. 2006 Article Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98790 539.198 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор.
format Article
author Дудин, С.В.
spellingShingle Дудин, С.В.
Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
Физическая инженерия поверхности
author_facet Дудин, С.В.
author_sort Дудин, С.В.
title Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
title_short Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
title_full Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
title_fullStr Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
title_full_unstemmed Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
title_sort плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2006
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98790
citation_txt Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT dudinsv plazmennoetravleniegeterostrukturnaosnovenitridagalliâpriizgotovleniioptoélektronnyhustrojstv
first_indexed 2023-10-18T20:00:31Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:31Z
_version_ 1796148508155183104

Схожі ресурси