Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления

Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления

В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2006
Автор: Лисовский, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98793
record_format dspace
spelling irk-123456789-987932016-04-18T03:02:28Z Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления Лисовский, В.А. В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления. У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску. This paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ . . 2006 Article Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793 533. 915 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления.
format Article
author Лисовский, В.А.
spellingShingle Лисовский, В.А.
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
Физическая инженерия поверхности
author_facet Лисовский, В.А.
author_sort Лисовский, В.А.
title Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_short Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_full Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_fullStr Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_full_unstemmed Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_sort диссоциативный режим вч емкостного разряда низкого давления
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2006
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793
citation_txt Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT lisovskijva dissociativnyjrežimvčemkostnogorazrâdanizkogodavleniâ
first_indexed 2023-10-18T20:00:31Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:31Z
_version_ 1796148508470804480

Схожі ресурси