Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления.
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98793 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-987932016-04-18T03:02:28Z Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления Лисовский, В.А. В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления. У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску. This paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ . . 2006 Article Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793 533. 915 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления. |
| format |
Article |
| author |
Лисовский, В.А. |
| spellingShingle |
Лисовский, В.А. Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Лисовский, В.А. |
| author_sort |
Лисовский, В.А. |
| title |
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления |
| title_short |
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления |
| title_full |
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления |
| title_fullStr |
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления |
| title_full_unstemmed |
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления |
| title_sort |
диссоциативный режим вч емкостного разряда низкого давления |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2006 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793 |
| citation_txt |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT lisovskijva dissociativnyjrežimvčemkostnogorazrâdanizkogodavleniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:31Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:31Z |
| _version_ |
1796148508470804480 |