Образование полупроводниковой наноструктуры на поверхности аустенитной стали
С помощью электрохимических исследований показано, что на межфазных границах 10Х20Н9Г6/H₂SO₄ – 1 М, легированных x% масс. Y, при различных температурах существует полупроводниковый слой n-типа, обеспечивающий повышение коррозионной стойкости. Анализ импедансных данных в рамках теории Мотта-Шотт...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98836 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Образование полупроводниковой наноструктуры на поверхности аустенитной стали / С.В. Нестеренко, В.В. Джелали // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 228–237. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |