Формирование регулярной пористой структуры р-InP
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получ...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98850 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98850 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-988502016-04-19T03:02:22Z Формирование регулярной пористой структуры р-InP Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials. 2010 Article Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98850 539.217; 544.723 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в
растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм.
Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. |
| format |
Article |
| author |
Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| spellingShingle |
Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. Формирование регулярной пористой структуры р-InP Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. |
| author_sort |
Сычикова, Я.А. |
| title |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_short |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_full |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_fullStr |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_full_unstemmed |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP |
| title_sort |
формирование регулярной пористой структуры р-inp |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98850 |
| citation_txt |
Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT syčikovaâa formirovanieregulârnojporistojstrukturyrinp AT kidalovvv formirovanieregulârnojporistojstrukturyrinp AT sukačga formirovanieregulârnojporistojstrukturyrinp |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:39Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:39Z |
| _version_ |
1796148514534719488 |