Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения
Анализируются особенности структур перспективных устройств кремниевой фотовольтаики с фотолюминесценцией коротковолнового солнечного излучения в область их максимальной фоточувствительности, с радиальными p-n-переходами в микроструктурах (микропроволоках) вертикального исполнения и с проводящими...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98854 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Фотопреобразователи энергии солнечного излучения нового поколения / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 100–115. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Анализируются особенности структур перспективных устройств кремниевой фотовольтаики
с фотолюминесценцией коротковолнового солнечного излучения в область их максимальной
фоточувствительности, с радиальными p-n-переходами в микроструктурах (микропроволоках)
вертикального исполнения и с проводящими квантовыми нитями в объеме монокристалла
кремния. Повышенная удельная электрическая проводимость в планарных структурах создается
кластерными объединениями атомов кремния в аморфном состоянии с атомами легированной
примеси.
Массивы квантовых нитей являются основным структурным фактором при создании фотоэлементов третьего поколения с повышенной конверсионной эффективностью, радиационной
стабильностью и высоким ресурсом эксплуатации для наземной и космической энергетики. |
---|