Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автор: Олимов, Л.О.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98868
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98868
record_format dspace
spelling irk-123456789-988682016-04-19T03:02:27Z Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников Олимов, Л.О. В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур. У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних напівпровідникових р-n-структур. We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor p-n-structures. 2010 Article Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 61.82.Fk, 61.72.Mm, 79.40.+z, 61.82.Rx, 73.22.-f, 73.61.-r, 73.90.+f, 73.43.Jn, 73.50.Lw, 72.40.+w, 73.50.Pz http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98868 666.3.017 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур.
format Article
author Олимов, Л.О.
spellingShingle Олимов, Л.О.
Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
Физическая инженерия поверхности
author_facet Олимов, Л.О.
author_sort Олимов, Л.О.
title Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
title_short Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
title_full Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
title_fullStr Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
title_full_unstemmed Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
title_sort модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98868
citation_txt Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников / Л.О. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173–179. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT olimovlo modelʹmežzerennojgranicyvrnstrukturahnaosnovepolikristalličeskihpoluprovodnikov
first_indexed 2023-10-18T20:00:42Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:42Z
_version_ 1796148516452564992

Схожі ресурси