Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов

Исследованы возможности определения массового содержимого, толщины и профилей концентрации кремния и фосфора в тонких пленках изготовленных по газо-фторидной технологии. Разработана методика неразорительного анализа поверхностных пластов и переходного пласта между бинарной Sі-Ge пленкой и подложко...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Левенец, В.В., Щур, А.А., Широков, Б.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98871
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов / В.В. Левенец, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 130–137. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследованы возможности определения массового содержимого, толщины и профилей концентрации кремния и фосфора в тонких пленках изготовленных по газо-фторидной технологии. Разработана методика неразорительного анализа поверхностных пластов и переходного пласта между бинарной Sі-Ge пленкой и подложкой из кремния на основе регистрации рентгеновского и γ-излучение возбуждаемого ускоренными протонами. Проведены исследования серии изделий, отличающихся материалом подложки, технологией изготовления и массовым содержимым. Сделаны выводы относительно возможности применения подобных аналитических методов для изучения физических процессов, связанных с изготовлением многослойных полупроводниковых структур.