2025-02-24T02:06:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98871%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:06:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98871%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T02:06:52-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T02:06:52-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов

Исследование состава и структуры пленок на основе Si-Ge сплавов ядерно-физическими методами анализа на пучках протонов

Исследованы возможности определения массового содержимого, толщины и профилей концентрации кремния и фосфора в тонких пленках изготовленных по газо-фторидной технологии. Разработана методика неразорительного анализа поверхностных пластов и переходного пласта между бинарной Sі-Ge пленкой и подложко...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Левенец, В.В., Щур, А.А., Широков, Б.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98871
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Исследованы возможности определения массового содержимого, толщины и профилей концентрации кремния и фосфора в тонких пленках изготовленных по газо-фторидной технологии. Разработана методика неразорительного анализа поверхностных пластов и переходного пласта между бинарной Sі-Ge пленкой и подложкой из кремния на основе регистрации рентгеновского и γ-излучение возбуждаемого ускоренными протонами. Проведены исследования серии изделий, отличающихся материалом подложки, технологией изготовления и массовым содержимым. Сделаны выводы относительно возможности применения подобных аналитических методов для изучения физических процессов, связанных с изготовлением многослойных полупроводниковых структур.

Similar Items