Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом
Смещение атомов легирования в скрытых треках структуры монокристаллического кремния приводит к изгибу энергетических зон, т.е. к созданию разделительного электрического поля для носителей заряда. Образование проводящих квантовых нитей в объеме кристалла обеспечит повышение эффективности (увели...
Збережено в:
| Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98881 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 198–202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98881 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-988812016-04-19T03:02:33Z Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом Ефимов, В.П. Смещение атомов легирования в скрытых треках структуры монокристаллического кремния приводит к изгибу энергетических зон, т.е. к созданию разделительного электрического поля для носителей заряда. Образование проводящих квантовых нитей в объеме кристалла обеспечит повышение эффективности (увеличение токосъема) и радиационной устойчивости кремниевых фотоэлементов для специального применения их в условиях Земли и космического пространства. Зсув атомів легування у прихованих треках структури монокристалічного кремнію приводить до згину енергетичних зон, тобто до створення розділового електричного поля для носіїв заряду. Створення провідних квантових ниток в обсязі кристала забезпечить підвищення ефективності (збільшення збору носіїв заряду) та радіаційної стійкості кремнієвих фотоелементів для спеціального застосування їх в умовах Землі та космічного простору. Displacement of dopants atoms in the structure of hidden track of monocrystalline silicon leads to the bending of energy bands, i.e. to the formation of the separating electric field for charge carriers. The formation of conductive quantum filaments in the crystal bulk will improve the effectiveness (increase in current collection), and radiation hardness of silicon solar cells for specific use them on Earth and in outer space. 2010 Article Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 198–202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98881 621.30.49.77 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Смещение атомов легирования в скрытых треках структуры монокристаллического кремния
приводит к изгибу энергетических зон, т.е. к созданию разделительного электрического поля
для носителей заряда. Образование проводящих квантовых нитей в объеме кристалла обеспечит
повышение эффективности (увеличение токосъема) и радиационной устойчивости кремниевых
фотоэлементов для специального применения их в условиях Земли и космического пространства. |
| format |
Article |
| author |
Ефимов, В.П. |
| spellingShingle |
Ефимов, В.П. Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Ефимов, В.П. |
| author_sort |
Ефимов, В.П. |
| title |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_short |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_full |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_fullStr |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_full_unstemmed |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| title_sort |
создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98881 |
| citation_txt |
Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом / В.П. Ефимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 198–202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT efimovvp sozdanieprostranstvennyhkvantovyhnitejvobʺememonokristalličeskogokremniâkulonovskimvzryvom |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:44Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:44Z |
| _version_ |
1796148517840879616 |