О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пл...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98897 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-988972016-04-20T03:02:18Z О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия Сычикова, Я.А. В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий. У даній роботі розглянуто можливість отримання плівок InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. Поруватий фосфід індію отримували методом електрохімічного травлення. На поверхні поруватого InP методом оже-спектроскопії було доведено утворення плівок InN. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. In this paper we consider the possibility of obtaining thin films of InN on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. Porous InP obtained by electrochemical etching. On the surface of porous InP by Auger-spectroscopy has been proven education films InN. According to the results of Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns, depending on technological conditions. 2010 Article О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897 621.315.592; 537.529 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых
подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия
получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами
оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от
технологических условий. |
| format |
Article |
| author |
Сычикова, Я.А. |
| spellingShingle |
Сычикова, Я.А. О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Сычикова, Я.А. |
| author_sort |
Сычикова, Я.А. |
| title |
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_short |
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_full |
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_fullStr |
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_full_unstemmed |
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| title_sort |
о перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897 |
| citation_txt |
О перспективности использования пористого фосфида
индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT syčikovaâa operspektivnostiispolʹzovaniâporistogofosfidaindiâvkačestvepodložekdlâplenoknitridaindiâ |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:45Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:45Z |
| _version_ |
1796148518372507648 |