О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия

О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия

В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пл...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2010
Автор: Сычикова, Я.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98897
record_format dspace
spelling irk-123456789-988972016-04-20T03:02:18Z О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия Сычикова, Я.А. В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий. У даній роботі розглянуто можливість отримання плівок InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. Поруватий фосфід індію отримували методом електрохімічного травлення. На поверхні поруватого InP методом оже-спектроскопії було доведено утворення плівок InN. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. In this paper we consider the possibility of obtaining thin films of InN on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. Porous InP obtained by electrochemical etching. On the surface of porous InP by Auger-spectroscopy has been proven education films InN. According to the results of Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns, depending on technological conditions. 2010 Article О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897 621.315.592; 537.529 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий.
format Article
author Сычикова, Я.А.
spellingShingle Сычикова, Я.А.
О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
Физическая инженерия поверхности
author_facet Сычикова, Я.А.
author_sort Сычикова, Я.А.
title О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_short О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_full О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_fullStr О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_full_unstemmed О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
title_sort о перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897
citation_txt О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT syčikovaâa operspektivnostiispolʹzovaniâporistogofosfidaindiâvkačestvepodložekdlâplenoknitridaindiâ
first_indexed 2023-10-18T20:00:45Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:45Z
_version_ 1796148518372507648

Схожі ресурси