2025-02-23T13:48:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98911%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:48:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98911%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T13:48:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T13:48:53-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками

Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками

Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних напругах зміщення прикладених до...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Григорчак, І.І., Войтович, С.А.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98911
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-98911
record_format dspace
spelling irk-123456789-989112016-04-20T03:02:05Z Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками Григорчак, І.І. Войтович, С.А. Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних напругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах. Синтезировано наноструктуры GaSe и ІnSe с включением нанослоев нитрита натрия и следующим замещением их на электролитические полимерные слои. Проанализировано изменение частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости, тангенса угла потерь при разных напряжениях смещения приложенных к образцам. Построена эквивалентная схема электрических процессов в этих системах. GaSe and InSe nanostructures with inserted Sodium Nitrite nanolayers were synthesized. Then NaNO2 nanolayers were substituted by electrolytic polymer layers. The change in frequency dependences of specific resistance, permittivity and tangent of loss angle at different bias voltages applied to samples was analyzed. The equivalent circuit of electric processes in these systems was presented. 2010 Article Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98911 539.2:669.24 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних напругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах.
format Article
author Григорчак, І.І.
Войтович, С.А.
spellingShingle Григорчак, І.І.
Войтович, С.А.
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
Физическая инженерия поверхности
author_facet Григорчак, І.І.
Войтович, С.А.
author_sort Григорчак, І.І.
title Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
title_short Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
title_full Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
title_fullStr Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
title_full_unstemmed Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
title_sort квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2d-електронними і 2d-іонними прошарками
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2010
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98911
citation_txt Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT grigorčakíí kvantovaêmnístʹtaprocesinakopičennâzarâduvnanostrukturahzpočergovimi2delektronnimií2díonnimiprošarkami
AT vojtovičsa kvantovaêmnístʹtaprocesinakopičennâzarâduvnanostrukturahzpočergovimi2delektronnimií2díonnimiprošarkami
first_indexed 2023-10-18T20:00:47Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:47Z
_version_ 1796148519858339840

Similar Items