Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения
Исследовано влияние облучения протонами на газовыделение в тонкоплёночной системе. Установлено, что протонное облучение инициирует образование на границе раздела плёнка-подложка мелких сферических образований, размеры которых возрастают с ростом дозы. Это объясняется выходом на границу раздела внед...
Збережено в:
Видавець: | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
---|---|
Дата: | 2010 |
Автори: | Борисенко, Ю.Н., Береснев, В.М., Литовченко, С.В., Шевцов, А.Б. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98916 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Пограничное газовыделение в тонкопленочной системе под действием протонного облучения и возможности его применения / Ю.Н. Борисенко, В.М. Береснев, С.В. Литовченко, А.Б. Шевцов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 353–357. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Твердотельное превращение оксида висмута под действием электронного облучения
за авторством: Приходько, К.Е.
Опубліковано: (2002) -
Методика исследования графитовых материалов в среде кислорода под действием облучения электронами
за авторством: Зеленский, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2011) -
Метод оценки качества тонкопленочной платы
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2012) -
Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
за авторством: Батаев, М., та інші
Опубліковано: (2011) -
Моделирование процессов диффузии и упорядочения в тонкоплёночной системе Au/Cu методом кинетики среднего поля
за авторством: Сидоренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2013)