Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках
В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов....
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98918 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98918 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-989182016-04-20T03:02:13Z Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов. У моделі, яка припускає захоплення електронів провідності, на поверхневі стани границь зерен у полікристалах напівпровідників, розрахована прозорість потенційного бар’єра. Задача вирішена для випадків невирожденої та вирожденої статистики електронів. In the model suggested capture conductivity electrons on grain boundaries surface states in polycrystals of the semiconductors calculated potential barrier penetrability. The problem is solved for no degenerated and degenerated cases of the electrons statistic. 2010 Article Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98918 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния
границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального
барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов. |
| format |
Article |
| author |
Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. |
| spellingShingle |
Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Атакулов, Ш.Б. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, С.М. Тухтаматов, О.А. |
| author_sort |
Атакулов, Ш.Б. |
| title |
Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_short |
Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_full |
Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_fullStr |
Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_full_unstemmed |
Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| title_sort |
особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98918 |
| citation_txt |
Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках / Ш.Б. Атакулов, С.М. Зайнолобидинова, С.М. Отажонов, О.А. Тухтаматов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 365–370. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT atakulovšb osobennostirasseâniânositelejtokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah AT zajnolobidinovasm osobennostirasseâniânositelejtokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah AT otažonovsm osobennostirasseâniânositelejtokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah AT tuhtamatovoa osobennostirasseâniânositelejtokamežkristallitnymipotencialʹnymibarʹeramiobrazovannymiélektronymipoverhnostnymisostoâniâmivpolikristalličeskihpoluprovodnikah |
| first_indexed |
2023-10-18T20:00:48Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:00:48Z |
| _version_ |
1796148520602828800 |