Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання

• Дата: 2012
• Автори: Тарасова, О.Ю., Балабай, Р.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Назва видання: Физическая инженерия поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98927
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання / О.Ю. Тарасова, Р.М. Балабай // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 42–46. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Багатошарові напівпровідникові структури, наприклад двошарова структура Sі(111)/Si₃N₄ (0001), представляють собою неоднорідні тіла як по перерізу, так і по площі. Внаслідок цього в наноелектронних виробах у процесі виготовлення виникають пружнімеханічні напруження, величина і характер розподілу яких значно впливають на електричні та інші характеристики приладів. Тому при виготовленні інтегральних схем важливим є знання величини і характеру розподілу механічних напружень у залежності від топологічних параметрів зразка. Результатами моделювання оцінена можливість існування різкої бездефектної границі Sі(111)/Si₃N₄ (0001) для шарів розмірами порядку 2 нм. Розрахована карта механічних напружень в гетеропереході з боку шару Si₃N₄ (0001), на основі якої визначено, що напруження мають розтягуючий характер і їх максимум приходиться на границю розділу.