Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутс...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98936 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии / Н.Н. Чернышов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 96–100. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутствует и поле может считаться действительным. Поскольку решение задачи рассматривается за рамками борновского приближения, основанием является метод квантового кинетического управления. Вначале было получено кинетическое управление с учетом поправок к борновскому приближению, затем оно решалось итерациями по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрение велось в произвольном порядке по электрическому полю. |
|---|