Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии

Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии

В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутс...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2012
Автор: Чернышов, Н.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98936
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии / Н.Н. Чернышов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 96–100. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98936
record_format dspace
spelling irk-123456789-989362016-04-20T03:02:37Z Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии Чернышов, Н.Н. В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутствует и поле может считаться действительным. Поскольку решение задачи рассматривается за рамками борновского приближения, основанием является метод квантового кинетического управления. Вначале было получено кинетическое управление с учетом поправок к борновскому приближению, затем оно решалось итерациями по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрение велось в произвольном порядке по электрическому полю. У роботі отдержано за електричним полем поправку до струму, пов'язану з відсутністю центра інверсії кристала, розглянуто випадок не виродженого електричного газу. Якісно статичний розрахунок показано моделлю асиметричних розсіювачів. Циркулярний фотогальванічний ефект в цьому розрахунку відсутній і поле може вважатися дійсним. Оскільки рішення задачі розглядається за рамками Борновскі наближення, підставою є метод квантового кінетичного управління. Спочатку було отримано кінетичне управління з урахуванням поправок до борнове наближення, потім воно вирішувалося ітераціями по непарному інтегралу зіткнень. Розгляд велося в довільному порядку по електричному полю. In work the amendment to a current, connected with absence of the center of inversion of a crystal is received on an electric field, the case not clear electric gas is considered. Qualitatively static calculation it is shown by model asymmetric the allocator. The circular photogalvanic effect in this calculation is absent also a field can be considered valid. As the decision of a problem is examined behind frameworks of the Born approximation, the basis is the method of the quantum kinetic equation. In the beginning the kinetic equation has been received in view of amendments to the Born approximation, then it was solved iterations on odd integral of collisions. Consideration was conducted in the any order on an electric field. 2012 Article Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии / Н.Н. Чернышов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 96–100. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98936 621.039.05 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе получена по электрическому полю поправка к току, связанная с отсутствием центра инверсии кристалла, рассмотрен случай невырожденного электрического газа. Качественно статический расчет показано моделью асимметричных рассеивателей. Циркулярный фотогальванический эффект в этом расчете отсутствует и поле может считаться действительным. Поскольку решение задачи рассматривается за рамками борновского приближения, основанием является метод квантового кинетического управления. Вначале было получено кинетическое управление с учетом поправок к борновскому приближению, затем оно решалось итерациями по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрение велось в произвольном порядке по электрическому полю.
format Article
author Чернышов, Н.Н.
spellingShingle Чернышов, Н.Н.
Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
Физическая инженерия поверхности
author_facet Чернышов, Н.Н.
author_sort Чернышов, Н.Н.
title Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
title_short Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
title_full Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
title_fullStr Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
title_full_unstemmed Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
title_sort теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98936
citation_txt Теория явлений переноса в электрическом поле для кристаллов без центра инверсии / Н.Н. Чернышов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 1. — С. 96–100. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT černyšovnn teoriââvlenijperenosavélektričeskompoledlâkristallovbezcentrainversii
first_indexed 2023-10-18T20:00:50Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:50Z
_version_ 1796148522513334272

Схожі ресурси