Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия

Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобра...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Кирилаш, А.И., Симченко, С.В., Кидалов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98961
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98961
record_format dspace
spelling irk-123456789-989612016-04-20T03:02:16Z Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия Кирилаш, А.И. Симченко, С.В. Кидалов, В.В. Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия. Досліджено використання поруватого шару арсеніду галію в якості антивідбиттєвого покриття для сонячних елементів. За допомогою поруватих шарів удалося зменшити поверхневе відбиття, розширити діапазон спектральної чутливості та тим самим отримати зростання струму короткого замикання фотоперетворювачів на основі арсеніду галію. Investigated the use of porous layers of gallium arsenide as the anti-reflective coatings for solar cells. With the help of porous layers could reduce the surface reflection, and a increase in short circuit current of solar cells. 2012 Article Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98961 621.315.592; 537.529 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобразователей на основе арсенида галлия.
format Article
author Кирилаш, А.И.
Симченко, С.В.
Кидалов, В.В.
spellingShingle Кирилаш, А.И.
Симченко, С.В.
Кидалов, В.В.
Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
Физическая инженерия поверхности
author_facet Кирилаш, А.И.
Симченко, С.В.
Кидалов, В.В.
author_sort Кирилаш, А.И.
title Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_short Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_full Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_fullStr Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_full_unstemmed Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
title_sort фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98961
citation_txt Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT kirilašai fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ
AT simčenkosv fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ
AT kidalovvv fotoélektričeskiepreobrazovatelinaosnoveporistogoarsenidagalliâ
first_indexed 2023-10-18T20:00:52Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:52Z
_version_ 1796148524209930240

Схожі ресурси