Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, ді...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його
шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика
(похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки
питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах
та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом
поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>. |
|---|