Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, ді...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-99812 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-998122016-05-04T03:02:16Z Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>. Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на свойства наноструктуры GaSe<segnRK>. The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed 2013 Article Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812 621.315.562 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його
шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика
(похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки
питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах
та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом
поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>. |
| format |
Article |
| author |
Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. |
| spellingShingle |
Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. |
| author_sort |
Біщанюк, Т.М. |
| title |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_short |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_full |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_fullStr |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_full_unstemmed |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| title_sort |
формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812 |
| citation_txt |
Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT bíŝanûktm formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal AT balabanov formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal AT grigorčakíí formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal AT fečanav formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal |
| first_indexed |
2023-10-18T20:02:57Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:02:57Z |
| _version_ |
1796148609581842432 |