2025-02-24T01:16:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-99812%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-24T01:16:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-99812%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-24T01:16:02-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-24T01:16:02-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал

Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, ді...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Біщанюк, Т.М., Балабан, О.В., Григорчак, І.І., Фечан, А.В.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Series:	Физическая инженерия поверхности
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-99812
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-998122016-05-04T03:02:16Z Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>. Представлены результаты исследования характеристик селенида галлия с введенным между его слои сегнетоэлектрическим жидким кристаллом (segnRK), состоящего из ахирального смектика (производная фенилбензоата) и хиральной компоненты. Установлен характер изменений частотного поведения удельного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при разных температурах и после ультразвукового облучения на протяжении 5 и 15 минут. Выяснено отличие между влиянием поля акустической волны и температуры на свойства наноструктуры GaSe<segnRK>. The results of the research of characteristics of gallium selenide with intercalated between the layers ferroelectric liquid crystals (segnRK) which consisted of an achiral smektyk (derivative of phenyl benzoate) and a chiral component were presented. The character of frequency behavior change of specific impedance, dielectric permittivity and tangent of angle’s loss at different temperatures and after ultrasonic irradiation for 5 and 15 minutes was established. The difference between the influence of acoustic wave field and temperature for properties of nanostructure GaSe<segnRK> was revealed 2013 Article Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812 621.315.562 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похіднафенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>.
format	Article
author	Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В.
spellingShingle	Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В. Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал Физическая инженерия поверхности
author_facet	Біщанюк, Т.М. Балабан, О.В. Григорчак, І.І. Фечан, А.В.
author_sort	Біщанюк, Т.М.
title	Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_short	Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_full	Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_fullStr	Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_full_unstemmed	Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
title_sort	формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2013
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99812
citation_txt	Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал / Т.М. Біщанюк, О.В. Балабан, І.І. Григорчак, А.В. Фечан // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 1. — С. 91–96. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT bíŝanûktm formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal AT balabanov formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal AT grigorčakíí formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal AT fečanav formuvannâtavlastivostíínterkalatnihnanostrukturkonfíguracííneorganíčnijnapívprovídniksegnetoelektričnijrídkijkristal
first_indexed	2023-10-18T20:02:57Z
last_indexed	2023-10-18T20:02:57Z
_version_	1796148609581842432

Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал

Similar Items