Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердо...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99830 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-99830 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-998302016-05-05T03:02:08Z Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры Сапаев, И.Б. Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx Te1-x на границе гетероструктуры n/Si-n/CdSx Te1-x. Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого розчину CdSx Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток твердого розчину CdSx Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx Te1-x. It is made heterojunction n/Si-n/CdSx Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution CdSx Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx Te1-x on heterostructure border n/Si-n/ CdSx Te1-x are defined. 2013 Article Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99830 53.043;53.023;539.234. ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Изготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx
Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого
раствора CdSx
Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx
Te1-x на границе гетероструктуры
n/Si-n/CdSx
Te1-x. |
| format |
Article |
| author |
Сапаев, И.Б. |
| spellingShingle |
Сапаев, И.Б. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Сапаев, И.Б. |
| author_sort |
Сапаев, И.Б. |
| title |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_short |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_full |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_fullStr |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_full_unstemmed |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры |
| title_sort |
исследование электрических и фотоэлектрических свойств in-cdsxte1-x-si-in структуры |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99830 |
| citation_txt |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT sapaevib issledovanieélektričeskihifotoélektričeskihsvojstvincdsxte1xsiinstruktury |
| first_indexed |
2023-10-18T20:03:00Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:03:00Z |
| _version_ |
1796148611498639360 |