Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели
С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов указывают на то, что ширина запрещенной...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | Шарибаев, Н.Ю. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99831 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели / Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 228–230. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
за авторством: Гулямов, Г., та інші
Опубліковано: (2012) -
Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны
за авторством: Гулямов, Г., та інші
Опубліковано: (2012) -
Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
за авторством: Гулямов, Г., та інші
Опубліковано: (2011) -
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018) -
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
за авторством: Гулямов, Г., та інші
Опубліковано: (2013)