Simulation of combined schottky diode
Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simul...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут енергетичних машин і систем ім. А. М. Підгорного Національної академії наук України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://journals.uran.ua/jme/article/view/21298 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Journal of Mechanical Engineering |
Institution
Journal of Mechanical Engineering| id |
journalsuranuajme-article-21298 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
journalsuranuajme-article-212982025-07-17T11:51:48Z Simulation of combined schottky diode Моделирование комбинированного диода шоттки Моделювання комбінованого діоду шоттки Кісельов, Єгор Миколайович Schottky diode current management voltage gate electron concentration УДК 621.382 диод Шоттки ток управление напряжение затвор концентрация электронов УДК 621.382 діод Шоттки струм керування напруга затвор концентрація електронів УДК 621.382 Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simulation of combined Schottky diode with electrically separated anode and gate in the computer-aided design system TCAD Studio are given in the paper. Analysis of the obtained results shows that the management effectiveness of combined Schottky diode depends on the voltage value on the additional electrode-gate. The regulation degree of additional diode capacitance, according to the applied model has a value of about 22%. The research results can be used for further optimization of designs of combined Schottky diodes. Средствами системы TCAD Studio рассмотрены статические и динамические характеристики двухмерной конечно – разностной модели комбинированного диода Шоттки. Показано, что эффективность управления диодом зависит от величины напряжения на дополнительном электроде –затворе. Установлено, что степень регулирования дополнительной емкости, согласно модели, имеет значение примерно 22% . Засобами системи TCAD Studio розглянуто статичні і динамічні характеристики двовимірної кінцево – елементної моделі комбінованого діода Шоттки. Показано, що ефективність керування діодом залежить від величини напруги на додатковому електроді - затворі. Встановлено, що ступінь регулювання додаткової ємності, згідно моделі, має значення близько 22%. Інститут енергетичних машин і систем ім. А. М. Підгорного Національної академії наук України 2015-04-01 Article Article application/pdf https://journals.uran.ua/jme/article/view/21298 Journal of Mechanical Engineering; Vol. 16 No. 6 (2013); 3-7 Проблемы машиностроения; Том 16 № 6 (2013); 3-7 Проблеми машинобудування; Том 16 № 6 (2013); 3-7 2709-2992 2709-2984 uk https://journals.uran.ua/jme/article/view/21298/36476 Copyright (c) 2015 Єгор Миколайович Кісельов https://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0 |
| institution |
Journal of Mechanical Engineering |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-07-17T11:51:48Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Schottky diode current management voltage gate electron concentration УДК 621.382 |
| spellingShingle |
Schottky diode current management voltage gate electron concentration УДК 621.382 Кісельов, Єгор Миколайович Simulation of combined schottky diode |
| topic_facet |
Schottky diode current management voltage gate electron concentration УДК 621.382 диод Шоттки ток управление напряжение затвор концентрация электронов УДК 621.382 діод Шоттки струм керування напруга затвор концентрація електронів УДК 621.382 |
| format |
Article |
| author |
Кісельов, Єгор Миколайович |
| author_facet |
Кісельов, Єгор Миколайович |
| author_sort |
Кісельов, Єгор Миколайович |
| title |
Simulation of combined schottky diode |
| title_short |
Simulation of combined schottky diode |
| title_full |
Simulation of combined schottky diode |
| title_fullStr |
Simulation of combined schottky diode |
| title_full_unstemmed |
Simulation of combined schottky diode |
| title_sort |
simulation of combined schottky diode |
| title_alt |
Моделирование комбинированного диода шоттки Моделювання комбінованого діоду шоттки |
| description |
Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simulation of combined Schottky diode with electrically separated anode and gate in the computer-aided design system TCAD Studio are given in the paper. Analysis of the obtained results shows that the management effectiveness of combined Schottky diode depends on the voltage value on the additional electrode-gate. The regulation degree of additional diode capacitance, according to the applied model has a value of about 22%. The research results can be used for further optimization of designs of combined Schottky diodes. |
| publisher |
Інститут енергетичних машин і систем ім. А. М. Підгорного Національної академії наук України |
| publishDate |
2015 |
| url |
https://journals.uran.ua/jme/article/view/21298 |
| work_keys_str_mv |
AT kíselʹovêgormikolajovič simulationofcombinedschottkydiode AT kíselʹovêgormikolajovič modelirovaniekombinirovannogodiodašottki AT kíselʹovêgormikolajovič modelûvannâkombínovanogodíodušottki |
| first_indexed |
2025-07-17T11:52:49Z |
| last_indexed |
2025-07-17T11:52:49Z |
| _version_ |
1837894908093923329 |