Зображення обкладинки

Simulation of combined schottky diode

Despite the fact that various designs of Schottky diodes with additional gate were developed and investigated, still little attention has been paid to the simulation of their operation modes at independent change of field electrode potential. The results of two-dimensional physical-topological simul...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автор:	Кісельов, Єгор Миколайович
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Інститут енергетичних машин і систем ім. А. М. Підгорного Національної академії наук України 2015
Теми:	Schottky diode current management voltage gate electron concentration УДК 621.382
Онлайн доступ:	https://journals.uran.ua/jme/article/view/21298
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Journal of Mechanical Engineering

Репозитарії

Journal of Mechanical Engineering

Схожі ресурси

Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)

Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)

CHARACTERISTICS OF SPECIALIZED SINGLE-PHASE HIGH VOLTAGE DOUBLER RECTIFIER
за авторством: Brzhezitsky, V. O., та інші
Опубліковано: (2018)

MODIFICATIONS OF DIODE RECTIFIER CIRCUITS FOR CONTINUOUS INSULATION MEASUREMENT IN LIVE AC IT NETWORKS
за авторством: Olszowiec, P.
Опубліковано: (2016)

Fuzzy current analysis-based fault diagnostic of induction motor using hardware co-simulation with field programmable gate array
за авторством: Aib, A., та інші
Опубліковано: (2023)

COMPUTER SIMULATION OF INTERMITTENT CURRENT MODE OF DC ELECTRIC DRIVE WITH THREE-PHASE CONTROLLED RECTIFIER
за авторством: Kovalova, J. V.
Опубліковано: (2018)

Nonlinear Analysis of Millimeter-Wave Schottky Diode Mixers
за авторством: Piddyachiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: Litvinenko, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Schottky diodes based on the zinc selenide semiconductor crystals
за авторством: Voronkin, E.
Опубліковано: (2013)

Semiconductor laser diode control in optical disc writing systems.
за авторством: Kosyak, I. V.
Опубліковано: (2019)

The high harmonic components of voltage and current of the asynchronous generator with short-circuited rotor winding in small wind and hydroelectric installations
за авторством: Vasko, P., та інші
Опубліковано: (2016)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: A. Latreche
Опубліковано: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Numerical simulation of wakefields excitation in the dielectric structure filled with
за авторством: Markov, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Numerical simulation of processes in supercritical electron beam at the presence of plasma
за авторством: Markov, P.I., та інші
Опубліковано: (2003)

SCHOTTKY DIODE TRIPLER IN THE 3-MM WAVE RECEIVER FOR INVESTIGATION OF ATMOSPHERIC GASES
за авторством: Piddyachiy, V. I.
Опубліковано: (2015)

Schottky Diode Tripler in the 3-mm Wave Receiver for Investigation of Atmospheric Gases
за авторством: V. I. Podjachij
Опубліковано: (2015)

Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)

A METHOD OF DETERMINING THE ABILITY OF THE ARRESTER TO ABSORB ENERGY WITHOUT BREAKING THE HEAT BALANCE
за авторством: Shevchenko, S. Yu.
Опубліковано: (2015)

Simulation of plasma wakefield excitation by a sequence of relativistic electron bunches
за авторством: Lotov, K.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)

PIC simulation of low-frequency modulation of supercritical electron beam at plasma assstancei
за авторством: Markov, P.I., та інші
Опубліковано: (2005)

2D electrostatic simulation of the modulated electron beam interaction with inhomogeneous plasma
за авторством: Anisimov, I.O., та інші
Опубліковано: (2006)

Simulation of wakefields excited by a train of electron bunches in rectangular dielectric waveguide
за авторством: Onishchenko, N.I., та інші
Опубліковано: (2005)

USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
за авторством: Bondarenko, D.
Опубліковано: (2022)

Block of an electron gun combined with a getter - ion pump designed for high - power beam - plasma microwave devices
за авторством: Antonov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Using PIC-plasma model in the numerical simulation of a relativistic Cherenkov plasma maser
за авторством: Bogdankevich, I.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Simulation of formation of an intensive electron beam in bipolar electron-optical system with the plasma anode
за авторством: Stekolnikov, A.F., та інші
Опубліковано: (2002)

Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: R. Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)

Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Calculating the electronic transmission properties of semiconducting carbon nanotube Schottky diodes with increase in diameter
за авторством: Rashid Nizam, та інші
Опубліковано: (2012)

Using of perfectly matched layer (PML) in compucter simulation of the high-power relativistic plasma microwave amlifier
за авторством: Bogdankevich, I.L., та інші
Опубліковано: (2005)

Kinetic effects in the local plasma resonance region excited by modulated electron beam: 2D simulation
за авторством: Anisimov, I.O., та інші
Опубліковано: (2008)

PIC simulation of nonlinear wakefield excitation by a train of electron bunches in a waveguide with isotropic plasma
за авторством: Markov, P.I., та інші
Опубліковано: (2008)