The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• 1. Verfasser: Sapaev, I.B.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100309
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current,
 while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity
 is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral
 sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation. Показано, что гетероструктуры nSi-nCdS-n⁺CdS в пропускном направлении тока при малых
 уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Они обладают токовой чувствительностью Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, что в 4.2 раза превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Высокие значения Sλ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых
 уровнях освещенности. Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n⁺CdS у пропускному напрямку струму при малих
 рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12
 A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високізначення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості.