The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current,
 while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity
 is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 incr...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100309 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862750088976138240 |
|---|---|
| author | Sapaev, I.B. |
| author_facet | Sapaev, I.B. |
| citation_txt | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current,
while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity
is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral
sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation.
Показано, что гетероструктуры nSi-nCdS-n⁺CdS в пропускном направлении тока при малых
уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Они обладают токовой чувствительностью Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, что в 4.2 раза превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Высокие значения Sλ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых
уровнях освещенности.
Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n⁺CdS у пропускному напрямку струму при малих
рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12
A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високізначення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:04:09Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100309 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T21:04:09Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Sapaev, I.B. 2016-05-19T15:40:44Z 2016-05-19T15:40:44Z 2013 The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100309 53.043;53.023;539.234. It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current,
 while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity
 is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral
 sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation. Показано, что гетероструктуры nSi-nCdS-n⁺CdS в пропускном направлении тока при малых
 уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Они обладают токовой чувствительностью Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, что в 4.2 раза превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Высокие значения Sλ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых
 уровнях освещенности. Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n⁺CdS у пропускному напрямку струму при малих
 рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12
 A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високізначення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості. en Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Інжекційний фотодіод на основі nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктури Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Remove selected Article published earlier |
| spellingShingle | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures Sapaev, I.B. |
| title | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_alt | Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Інжекційний фотодіод на основі nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктури Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Remove selected |
| title_full | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_fullStr | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_full_unstemmed | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_short | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_sort | injection photo diode on the basis of nsi-ncds-n⁺cds heterostructures |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100309 |
| work_keys_str_mv | AT sapaevib theinjectionphotodiodeonthebasisofnsincdsncdsheterostructures AT sapaevib inžekcionnyifotodiodnaosnovensincdsncdsgeterostruktury AT sapaevib ínžekcíiniifotodíodnaosnovínsincdsncdsgeterostrukturiinžekcionnyifotodiodnaosnovensincdsncdsgeterostrukturyremoveselected AT sapaevib injectionphotodiodeonthebasisofnsincdsncdsheterostructures |