The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures
It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current, while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100309 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100309 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Sapaev, I.B. 2016-05-19T15:40:44Z 2016-05-19T15:40:44Z 2013 The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100309 53.043;53.023;539.234. It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current, while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation. Показано, что гетероструктуры nSi-nCdS-n⁺CdS в пропускном направлении тока при малых уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Они обладают токовой чувствительностью Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, что в 4.2 раза превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Высокие значения Sλ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых уровнях освещенности. Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n⁺CdS у пропускному напрямку струму при малих рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високізначення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості. en Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Інжекційний фотодіод на основі nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктури Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Remove selected Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| spellingShingle |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures Sapaev, I.B. |
| title_short |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_full |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_fullStr |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_full_unstemmed |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures |
| title_sort |
injection photo diode on the basis of nsi-ncds-n⁺cds heterostructures |
| author |
Sapaev, I.B. |
| author_facet |
Sapaev, I.B. |
| publishDate |
2013 |
| language |
English |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Інжекційний фотодіод на основі nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктури Инжекционный фотодиод на основе nSi-nCdS-n⁺CdS гетероструктуры Remove selected |
| description |
It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current,
while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity
is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral
sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation.
Показано, что гетероструктуры nSi-nCdS-n⁺CdS в пропускном направлении тока при малых
уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Они обладают токовой чувствительностью Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, что в 4.2 раза превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Высокие значения Sλ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых
уровнях освещенности.
Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n⁺CdS у пропускному напрямку струму при малих
рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12
A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високізначення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100309 |
| citation_txt |
The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures / I.B. Sapaev // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 3. — С. 260–262. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT sapaevib theinjectionphotodiodeonthebasisofnsincdsncdsheterostructures AT sapaevib inžekcionnyifotodiodnaosnovensincdsncdsgeterostruktury AT sapaevib ínžekcíiniifotodíodnaosnovínsincdsncdsgeterostrukturiinžekcionnyifotodiodnaosnovensincdsncdsgeterostrukturyremoveselected AT sapaevib injectionphotodiodeonthebasisofnsincdsncdsheterostructures |
| first_indexed |
2025-12-07T21:04:09Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:04:09Z |
| _version_ |
1850884961018576896 |