The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures - Sapaev, I.B. (Физическая инженерия поверхности, 2013)
It is shown that the nSi-nCdS-n⁺CdS heterostructures in operative (carrying) direction of current,
while being exposed to low intensity radiation, operate as injection photodiodes. Their current sensitivity
is Sλ ≈ 2.12 A/W at λ = 0.625 µm, which effectively represents a 4.2 increase in compare to spectral
sensitivity of the ideal photo receiver at small wavelength of irradiation. Показано, что гетероструктуры nSi-nCdS-n⁺CdS в пропускном направлении тока при малых
уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Они обладают токовой чувствительностью Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, что в 4.2 раза превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Высокие значения Sλ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых
уровнях освещенности. Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n⁺CdS у пропускному напрямку струму при малих
рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12
A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високізначення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості.