Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации

• Опубліковано в: : Радиофизика и радиоастрономия
• Дата: 2014
• Автор: Королев, А.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2014
• Теми: Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −100 до +100° C с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности использования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях. Запропоновано використовувати псевдоморфні польові транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT) як активні елементи високоекономічних мікрохвильових (1÷ 4 ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтервалі оточуючих температур. Експериментальний підсилювач функціонує в інтервалі температур від −100 до +100 °C зберігаючи основні електричні характеристики. Видається обґрунтованим висновок про перспективність використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють в безперервному режимі за екстремальних навколишніх умов. The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100 °C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions.