Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации
Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −...
Saved in:
| Published in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859732492946243584 |
|---|---|
| author | Королев, А.М. |
| author_facet | Королев, А.М. |
| citation_txt | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радиофизика и радиоастрономия |
| description | Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −100 до +100° C с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности использования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях.
Запропоновано використовувати псевдоморфні польові транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT) як активні елементи високоекономічних мікрохвильових (1÷ 4 ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтервалі оточуючих температур. Експериментальний підсилювач функціонує в інтервалі температур від −100 до +100 °C зберігаючи основні електричні характеристики. Видається обґрунтованим висновок про перспективність використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють в безперервному режимі за екстремальних навколишніх
умов.
The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100 °C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions.
|
| first_indexed | 2025-12-01T14:14:00Z |
| format | Article |
| fulltext |
ISSN 1027-9636. Радиофизика и радиоастрономия. Т. 19, № 2, 2014 181
Радиофизика и радиоастрономия. 2014, Т. 19, № 2, c. 181–185
© А. М. Королев, 2014
ÝËÅÊÒÐÎÌÀÃÍÈÒÍÛÅ ßÂËÅÍÈß
 ÏÐÈÁÎÐÀÕ, ÝËÅÌÅÍÒÀÕ È ÑÈÑÒÅÌÀÕ
ÍÀÓ×ÍÎÃÎ ÏÐÈÁÎÐÎÑÒÐÎÅÍÈß
А. М. КОРОЛЕВ
Радиоастрономический институт НАН Украины,
yл. Краснознаменная, 4, г. Харьков, 61002, Украина
E-mail: k_w_m@ukr.net
ÃÅÒÅÐÎÑÒÐÓÊÒÓÐÍÛÅ ÏÎËÅÂÛÅ ÒÐÀÍÇÈÑÒÎÐÛ
ÊÀÊ ÀÊÒÈÂÍÛÅ ÝËÅÌÅÍÒÛ ÏÐÈÅÌÍÛÕ ÓÑÒÐÎÉÑÒÂ
ÄËß ÎÑÎÁÎ ÆÅÑÒÊÈÕ ÓÑËÎÂÈÉ ÝÊÑÏËÓÀÒÀÖÈÈ
Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как
активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1 4÷ ГГц) усилителей, работающих в широком интервале
окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от 100− до 100 C+ °
с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности ис-
пользования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях.
Ключевые слова: псевдоморфный полевой транзистор с высокой подвижностью электронов, микроволновый усилитель,
низкое напряжение питания, температурная стойкость
УДК 537.962: 621.382.32
1. Ââåäåíèå
При мониторинге последствий природных и техно-
генных катастроф, проведении климатических
и иных геофизических исследований используются
системы дистанционного сбора данных и геодези-
ческой привязки. Организация опроса первичных
источников (сенсоров, постов комплексного наблю-
дения и т. д.) подразумевает наличие двунаправлен-
ного канала связи, включая находящийся в режиме
постоянного действия радиоприемник. Требования
к этому узлу, особенно в отношении экономичности
и термостабильности, могут быть очень жесткими.
Необходимость в минимальном энергопотреб-
лении обусловлена режимом постоянной готовно-
сти к приему сигнала о сбросе накопленного мас-
сива данных либо смене программы слежения.
Высокая термостабильность необходима, по-
скольку сенсоры геофизического и биосферного
мониторинга могут работать в условиях как высо-
ких температур (сейсмология, гидротермальная
геология), так и очень низких (гляциология, высот-
ная аэрономия). В горной и пустынной местности
возможны резкие температурные колебания. Про-
блема термостабильности, или, более широко, тер-
мической стойкости, может решаться активным
термостатированием. Однако такие термостаты
(кондиционеры) – устройства с большим энерго-
потреблением, заведомо на порядки превышающим
энергопотребление электроники приемников.
Обратим внимание на важное различие режи-
мов работы передатчиков и приемников. Импульс
передачи предварительно сжатого массива на-
копленной информации относительно краток.
Для термостабилизации достаточно тепловой
инерции аппарата в комплексе с пассивной тер-
моизоляцией. Исключение (редкое) – трансляция
в реальном времени. Для приемника же требует-
ся режим постоянного действия.
Ниже приводится описание экспериментов с
псевдоморфными полевыми транзисторами с вы-
сокой подвижностью электронов как активными
элементами высокоэкономичных электронных
узлов приемных устройств, способных работать
в диапазоне от +100 до 100 C.− ° Такой интервал
рабочих температур позволяет решать большин-
ство геофизических задач. Исключением являют-
ся вулканология и глубинные геологические изыс-
182 ISSN 1027-9636. Радиофизика и радиоастрономия. Т. 19, № 2, 2014
А. М. Королев
кания, где развивается оригинальная высокотем-
пературная техника.
Исследования проводились в диапазоне час-
тот 1 4÷ ГГц. Выбор диапазона обусловлен спе-
цификой современных сенсорных сетей, инфор-
мация от которых передается в СВЧ диапазоне
через спутниковые ретрансляторы. Исследова-
лись усилительные ячейки, так как они – основа
радиоэлектроники. Именно усилительный каскад
образует базис для создания большинства узлов
приемной системы: преобразователей частоты,
гетеродинов и собственно усилителей сигналов
на несущей и промежуточных частотах.
2. Ñðàâíèòåëüíàÿ õàðàêòåðèñòèêà
òðàíçèñòîðîâ íà îñíîâå ðàçëè÷íûõ
ïîëóïðîâîäíèêîâ
В настоящее время существует несколько техно-
логий транзисторов для расширенного диапазона
температур. Во-первых, это кремниевая техноло-
гия: CMOS, BiCMOS, SOI и др. Сразу исключим
из рассмотрения дешевые элементы бытовой
электроники в классе “civil”. Интервал темпера-
тур приборов классов “industrial” и “militar” состав-
ляет от 40− до 60 C.+ ° В некоторых случаях
кремниевые транзисторы могут работать в рас-
ширенном диапазоне (класс “space”, термостой-
кие до 200 C,° устойчивые к радиации), но это не
коммерчески доступные изделия узкой номен-
клатуры. Наконец, деградация характеристик
кремниевых транзисторов, особенно СВЧ мало-
мощных (со слабым самопрогревом), при темпе-
ратурах менее 60 C− ° слишком велика. Этого не-
достатка лишены транзисторы на полупроводни-
ках типа кремний–германий (в том числе HBT), но
здесь проблемы уже с высокими температурами.
Транзисторы на широкозонных полупроводниках
типа нитрида галлия и карбида кремния ориенти-
рованы в основном на силовые и особо высоко-
температурные применения [1–4]. Здесь экономич-
ность на малых сигналах и низкотемпературные
параметры – второстепенны и посредственны.
Наоборот, транзисторы на узкозонных полупровод-
никах (антимонид индия, антимонид галлия) вы-
сокоэкономичны и работоспособны при глубоком
охлаждении [5], но не стойки к нагреву.
Наиболее универсальны приборы на базе
(подложках) арсенида галлия (GaAs) и фосфида
индия (InP). Их можно отнести, условно, к “сред-
незонным”. Полевые транзисторы с высокой под-
вижностью электронов (HEMT) на InP и GaAs
сочетают отличные частотные, усилительные и шу-
мовые характеристики с возможностью охлажде-
ния до криогенных температур. Эти их свойства
широко используются в дальней связи и радиоаст-
рономии [6]. Однако InP-технология чрезвычайно
затратная, а продукция представлена только клас-
сом заказных изделий, в основном на миллиметро-
вый диапазон длин волн. В коммерчески доступ-
ном классе находятся транзисторы на основе GaAs,
со структурой активной области на In-Ga-As-Al, так
называемые “псевдоморфные” HEMT (PHEMT).
Ориентируясь на научно-гражданские приложения,
мы остановили выбор именно на PHEMT.
Касательно возможности работы при повы-
шенных температурах можно отметить сле-
дующее. Для различных типов маломощных
PHEMT допускается температура канала около
150 C,° при термосопротивлении ( )tR канал–кор-
пус 50 300 C/Вт.÷ ° В рассматриваемом случае
проектируется устройство с рассеиваемой (тран-
зистором) мощностью не более 10 мВт, и эффек-
ты саморазогрева минимальны. Так, перегрев ка-
нала транзистора в металлокерамическом кор-
пусе ( 60 C/Вт)tR = ° не превысит 1 C.° Соот-
ветственно, есть все основания полагать, что вер-
хняя граница рабочего интервала температур
будет выше требуемых 100 C.° Основная неяс-
ность – можно ли в требуемом интервале темпе-
ратур (от 100− до 100 C)+ ° обеспечить не толь-
ко общую работоспособность, но и сохранение
главных характеристик усилительного устройства?
Для экспериментальной проверки сформулирован-
ных предположений была спроектирована широ-
кополосная усилительная ячейка. Ее описание
и результаты тестирования приводятся далее.
3. Ýêñïåðèìåíòàëüíàÿ
óñèëèòåëüíàÿ ÿ÷åéêà
Принципиальная схема усилительной ячейки по-
казана на рис. 1. Двухкаскадная схема позволяет
получать приемлемый для практики коэффициент
усиления G порядка 20 дБ. Структура согласую-
щих цепей оптимизирована для полосы 1 4÷ ГГц
с целью выяснения величины искажений частот-
ной характеристики при термотестах. Если в кон-
кретных приложениях требуется более узкая по-
лоса, это обеспечивается настройкой межкаскад-
ной цепи L4 – L6, C6. Структура входной и выход-
ной согласующих цепей соответствует рекомен-
ISSN 1027-9636. Радиофизика и радиоастрономия. Т. 19, № 2, 2014 183
Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких...
дациям производителя транзисторов и в целом
традиционна для устройств подобного рода [7].
При расчете и моделировании использовались
справочные значения S-параметров и элементов
эквивалентной схемы транзисторов, за исключе-
нием сопротивления сток–исток.
Величина активной части выходного импедан-
са принималась равной сопротивлению сток–ис-
ток, измеренному на постоянном токе в актуаль-
ном режиме смещения/питания. Необходимость
этого вызвана следующим.
В целях повышения экономичности в усилите-
ле применены относительно узкозатворные
(200 мкм) транзисторы. Дополнительное повыше-
ние экономичности достигается использованием
транзисторов в режиме, близком к ненасыщенно-
му [8], при напряжении сток–исток менее 1 В.
S-матрица транзисторов в этом режиме изгото-
вителем не паспортизуется. Однако из всех эле-
ментов S-матрицы к изменению режима наибо-
лее чувствительны коэффициент прямой переда-
чи 21( )S и комплексный коэффициент отражения
по выходу 22( ),S или нормированный выходной
импеданс. Для расчета выходной согласующей
цепи важно знать действительную часть этого
импеданса (реактивная компонента меняется
слабо), поэтому она измерялась специально.
Приоритетный вопрос при конструировании
усилителей на узкозатворных транзисторах – обес-
печение устойчивости, так как инвариантный
коэффициент устойчивости этих приборов превы-
шает единицу только на частотах выше 4 6÷ ГГц.
Собственно, они и оптимизированы для частот
порядка 10 ГГц, а 1 4÷ ГГц – зона условной
устойчивости. Значительная часть диссипатив-
ных элементов принципиальной схемы (R1, R3,
R4 на рис. 1) предназначена как раз для обеспе-
чения устойчивости. Поддержанию устойчивос-
ти к внеполосному возбуждению способствует не-
насыщенный режим постоянного тока [9].
Стабилизация рабочей точки осуществляется
автосмещением (R2, R5 на рис. 1). Рекомендуе-
мые производителем транзисторов активные
схемы стабилизации непригодны, т. к. требуют
использования кремниевых микросхем, при
100 C± ° неработоспособных. В работе [10] для
перехода в режим охлаждения ( 196 C− ° и ниже)
в усилитель был введен переключатель напря-
жения питания, неприемлемый в автономных
приборах. В настоящем случае граница низких
температур выше ( 100 C),− ° и мы ограничились
автосмещением.
Конструктивно усилитель выполнен на подложке
размером 10 20× мм (материал ФДМ-2-0,25, стек-
лотекстолит). Пассивные элементы – SMD типо-
размера 0603. Уточним, что спецификации произ-
водителей всех пассивных и активных элемен-
тов на требуемый интервал температур (от 100−
до 100 C)+ ° не распространяются и механичес-
кая стойкость комплектующих изделий не гаранти-
руется. В процессе предварительных тестов нами
выполнялись испытания элементов на стойкость
Рис. 1. Упрощенная принципиальная схема усилительной ячейки. Элементы L3, L7 – выводы истоков транзисторов
184 ISSN 1027-9636. Радиофизика и радиоастрономия. Т. 19, № 2, 2014
А. М. Королев
к быстрому термоциклированию: каждый отобран-
ный компонент погружался в жидкий азот
( 196 C)− ° и отогревался в течение 1 мин 20 раз
подряд (20 циклов). Для всех тестировавшихся тран-
зисторов (лоты по 20 экземпляров: AVAGO
ATF36077, ATF35143, NE3210S01, FHC40LG) отка-
зов отмечено не было. Отобран ATF36077 как не
имеющий изменений тока утечки затвора (призна-
ка деградации).
4. Ðåçóëüòàòû èçìåðåíèé
На рис. 2 показана амплитудно-частотная харак-
теристика усилителя. Легко видеть, что усилитель
можно питать напряжением 1 0.15± В без какой-
либо дополнительной стабилизации. Из графиков
рис. 3 следует, что температурные вариации коэф-
фициента усиления не превышают 0.015 дБ/ C° и
вполне удовлетворяют требованиям к стабильнос-
ти усилителей систем связи. Отметим, что PHEMT
как таковому свойственна стабильность порядка
0.03 (дБ/ C) / дБ.° Повышенная стабильность в на-
шем случае есть результат действия автосмеще-
ния и местных обратных связей (L3, L7 на рис. 1).
Измеренное значение шумовой температуры
усилителя во всем диапазоне рабочих частот при
напряжении питания более 0.7 В не превышает
20 К при 100 C− ° и 100 К при 100 C.+ ° Коэффи-
циент стоячей волны по входу/выходу – в преде-
лах 2.5/1.5. Динамический параметр P1дБ –
не хуже 0 дБм (напряжение питания 0.7cU > В).
Потребляемая мощность при вариациях напря-
жения питания в пределах 0.5 1.15÷ В состав-
ляет 3 20÷ мВт.
Все измеренные характеристики позволяют
классифицировать усилитель как малошумящий,
высокоэкономичный, с высокой температурной
стабильностью электрических характеристик.
5. Âûâîäû
В настоящей работе предложено использовать
псевдоморфные гетероструктурные полевые GaAs
транзисторы как активные элементы высокоэконо-
мичных особо термостойких усилителей. Экспе-
риментальное усилительное устройство на диа-
пазон 1 4÷ ГГц функционирует в интервале тем-
ператур от 100− до 100 C+ ° с сохранением ос-
новных электрических характеристик. Представ-
ляется обоснованным вывод о перспективности
использования GaAs PHEMT во входных узлах
приемной техники, работающей в экстремальных
эксплуатационных условиях.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
01. Майская В. Элементная база электроники // Электро-
ника: НТБ. – 2006. – № 5. – С. 1–27.
02. Шахнович И. Твердотельные СВЧ приборы и техно-
логии. Состояние и перспективы // Электроника: НТБ. –
2005. – № 5. – С. 58–64.
03. Лебедев А., Сбруев С. SiC электроника. Прошлое, нас-
тоящее, будущее // Электроника: НТБ. – 2006. – № 5. –
С. 28–41.
04. Neudeck P. G., Garverick S. L., Spry D. J., Chen Liang-Yu,
Beheim G. M., Krasovski M. J., and Mehregany M. Extreme
temperature 6H-SiC JFET integrated circuit technology //
Phys. Status Solidi A. – 2009. – Vol. 206, No. 10. –
P. 2329–2345.
5. Chao Liu, Yanbo Li, and Yiping Zeng. Progress in Antimonide
Based III – V Compound Semiconductors and Devices //
Engineering. – 2010. – No. 2. – P. 617–624.
Рис. 2. Измеренная амплитудно-частотная характеристика
усилителя при следующих напряжении питания: сплошная
линия – 1.15 В, штрих пунктирная – 1 В, штриховая –
0.85 В, пунктирная – 0.7 В, тонкая сплошная – 0.5 В.
Потребляемый ток находится в пределах 5 15÷ мА
Рис. 3. Измеренная зависимость коэффициента усиления G
от напряжения питания cU для трех значений окружающей
температуры: штриховая, пунктирная и сплошная линии
соответствуют температурам 100,− 0 и 100 C+ °
ISSN 1027-9636. Радиофизика и радиоастрономия. Т. 19, № 2, 2014 185
Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких...
06. Bautista J. J. HEMT low-noise amplifiers. In: Macgre-
gor S. Reid editor. Low-noise systems in the deep space
network. – Pasadena, CA: Jet propulsion laboratory,
California institute of technology, 2008. – 389 p.
07. Agilent Technologies Products Technical Data. High
Intercept Low Noise Amplifiers for 1500 MHz through
2500 MHz using the ATF-34143 Low Noise PHEMT. –
Application Note 1175. – 2002. – P. 1–7. Available from:
www. semiconductor. agilent. com
08. Korolev A. M., Shulga V. M., and Shnyrcov V. I. Radio-
frequency ultra-low DC power consumption HEMT amp-
lifier for quantum measurements at mK-temperature range //
Rev. Sci. Instrum. – 2011. – Vol. 82, No. 1. – P. 1145–1146.
09. Королев А. М., Шульга В. М. Ненасыщенный режим как
альтернативный метод обеспечения устойчивости мало-
шумящих усилителей на полевых транзисторных гете-
роструктурах // Радиофизика и радиоастрономия. –
2011. – Т. 16, No. 4. – С. 433–439.
10. Королев А. М. Усилитель промежуточной частоты су-
пергетеродинного радиоастрономического приемника //
Приборы и техника эксперимента. – 2011. – № 1. –
С. 88–90.
О. М. Корольов
Радіоастрономічний інститут НАН України,
вул. Червонопрапорна, 4, м. Харків, 61002, Україна
ГЕТЕРОСТРУКТУРНІ ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ ЯК
АКТИВНІ ЕЛЕМЕНТИ ПРИЙМАЛЬНИХ ПРИСТРОЇВ
ДЛЯ ОСОБЛИВО ЖОРСТКИХ УМОВ ЕКСПЛУАТАЦІЇ
Запропоновано використовувати псевдоморфні польові
транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT)
як активні елементи високоекономічних мікрохвильових
(1 4÷ ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтер-
валі оточуючих температур. Експериментальний підси-
лювач функціонує в інтервалі температур від 100− до
100 C+ ° зберігаючи основні електричні характеристики.
Видається обґрунтованим висновок про перспективність
використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють
в безперервному режимі за екстремальних навколишніх
умов.
А. M. Korolev
Institute of Radio Astronomy,
National Academy of Sciences of Ukraine,
4, Chervonopraporna St., Kharkiv, 61002, Ukraine
PHEMTS AS CIRCUIT ELEMENTS
FOR LOW-POWER-CONSUMPTION
RECEIVERS/AMPLIFIERS OPERATING
IN A WIDE TEMPERATURE RANGE ENVIRONMENT
The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for
low-power-consumption microwave (1 4− GHz) amplifiers
operating in a wide temperature range environment. Experi-
mental amplifier operates within temperatures 100− to
100 C+ ° preserving the general electrical properties. It seems
reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in
the stand-by receivers operating in extreme environment con-
ditions.
Статья поступила в редакцию 18.12.2013
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100337 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-9636 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T14:14:00Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Радіоастрономічний інститут НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Королев, А.М. 2016-05-19T20:26:31Z 2016-05-19T20:26:31Z 2014 Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337 537.962: 621.382.32 Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −100 до +100° C с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности использования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях. Запропоновано використовувати псевдоморфні польові транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT) як активні елементи високоекономічних мікрохвильових (1÷ 4 ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтервалі оточуючих температур. Експериментальний підсилювач функціонує в інтервалі температур від −100 до +100 °C зберігаючи основні електричні характеристики. Видається обґрунтованим висновок про перспективність використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють в безперервному режимі за екстремальних навколишніх умов. The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100 °C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions. ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации Гетероструктурні польові транзистори як активні елементи приймальних пристроїв для особливо жорстких умов експлуатації PHEMTs as Circuit Elements for Low-Power-Consumption Receivers/Amplifiers Operating in a Wide Temperature Range Environment Article published earlier |
| spellingShingle | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации Королев, А.М. Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| title | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_alt | Гетероструктурні польові транзистори як активні елементи приймальних пристроїв для особливо жорстких умов експлуатації PHEMTs as Circuit Elements for Low-Power-Consumption Receivers/Amplifiers Operating in a Wide Temperature Range Environment |
| title_full | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_fullStr | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_full_unstemmed | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_short | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_sort | гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| topic | Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| topic_facet | Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337 |
| work_keys_str_mv | AT korolevam geterostrukturnyepolevyetranzistorykakaktivnyeélementypriemnyhustroistvdlâosobožestkihusloviiékspluatacii AT korolevam geterostrukturnípolʹovítranzistoriâkaktivníelementipriimalʹnihpristroívdlâosoblivožorstkihumovekspluatacíí AT korolevam phemtsascircuitelementsforlowpowerconsumptionreceiversamplifiersoperatinginawidetemperaturerangeenvironment |