Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации
Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862648062248222720 |
|---|---|
| author | Королев, А.М. |
| author_facet | Королев, А.М. |
| citation_txt | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радиофизика и радиоастрономия |
| description | Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −100 до +100° C с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности использования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях.
Запропоновано використовувати псевдоморфні польові транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT) як активні елементи високоекономічних мікрохвильових (1÷ 4 ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтервалі оточуючих температур. Експериментальний підсилювач функціонує в інтервалі температур від −100 до +100 °C зберігаючи основні електричні характеристики. Видається обґрунтованим висновок про перспективність використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють в безперервному режимі за екстремальних навколишніх
умов.
The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100 °C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions.
|
| first_indexed | 2025-12-01T14:14:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100337 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-9636 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T14:14:00Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Радіоастрономічний інститут НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Королев, А.М. 2016-05-19T20:26:31Z 2016-05-19T20:26:31Z 2014 Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337 537.962: 621.382.32 Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −100 до +100° C с сохранением основных электрических характеристик. Представляется обоснованным вывод о перспективности использования GaAs PHEMT в приемниках, работающих в дежурном режиме в экстремальных окружающих условиях. Запропоновано використовувати псевдоморфні польові транзистори з високою рухливістю електронів (PHEMT) як активні елементи високоекономічних мікрохвильових (1÷ 4 ГГц) підсилювачів, працюючих у широкому інтервалі оточуючих температур. Експериментальний підсилювач функціонує в інтервалі температур від −100 до +100 °C зберігаючи основні електричні характеристики. Видається обґрунтованим висновок про перспективність використання GaAs PHEMT у приймачах, що працюють в безперервному режимі за екстремальних навколишніх
 умов. The PHEMTs are proposed to be used as circuit elements for low-power-consumption microwave (1− 4 GHz) amplifiers operating in a wide temperature range environment. Experimental amplifier operates within temperatures −100 to +100 °C preserving the general electrical properties. It seems reasonable to conclude prospects of using GaAs PHEMTs in the stand-by receivers operating in extreme environment conditions. ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации Гетероструктурні польові транзистори як активні елементи приймальних пристроїв для особливо жорстких умов експлуатації PHEMTs as Circuit Elements for Low-Power-Consumption Receivers/Amplifiers Operating in a Wide Temperature Range Environment Article published earlier |
| spellingShingle | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации Королев, А.М. Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| title | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_alt | Гетероструктурні польові транзистори як активні елементи приймальних пристроїв для особливо жорстких умов експлуатації PHEMTs as Circuit Elements for Low-Power-Consumption Receivers/Amplifiers Operating in a Wide Temperature Range Environment |
| title_full | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_fullStr | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_full_unstemmed | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_short | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| title_sort | гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации |
| topic | Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| topic_facet | Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337 |
| work_keys_str_mv | AT korolevam geterostrukturnyepolevyetranzistorykakaktivnyeélementypriemnyhustroistvdlâosobožestkihusloviiékspluatacii AT korolevam geterostrukturnípolʹovítranzistoriâkaktivníelementipriimalʹnihpristroívdlâosoblivožorstkihumovekspluatacíí AT korolevam phemtsascircuitelementsforlowpowerconsumptionreceiversamplifiersoperatinginawidetemperaturerangeenvironment |