Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации
Предложено использовать псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов (PHEMT) как активные элементы высокоэкономичных микроволновых (1÷ 4 ГГц) усилителей, работающих в широком интервале окружающих температур. Экспериментальный усилитель функционирует в интервале температур от −...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2014
|
| Schriftenreihe: | Радиофизика и радиоастрономия |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100337 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гетероструктурные полевые транзисторы как активные элементы приемных устройств для особо жестких условий эксплуатации / А.М. Королев // Радиофизика и радиоастрономия. — 2014. — Т. 19, № 2. — С. 181-185. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |