Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами

• Veröffentlicht in: Радиофизика и радиоастрономия
• Datum: 2006
• 1. Verfasser: Стороженко, И.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Радіоастрономічний інститут НАН України 2006
• Schlagworte: Физические основы электронных приборов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений AlxGa1-xAs при x=0-0.2. Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown to outperform by output and generation efficiency those employing spatially homogeneous AlxGa1-xAs compound semiconductor within the whole frequency range for x=0-0.2.