Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862639843916382208 |
|---|---|
| author | Стороженко, И.П. |
| author_facet | Стороженко, И.П. |
| citation_txt | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радиофизика и радиоастрономия |
| description | С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений AlxGa1-xAs при x=0-0.2.
Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown to outperform by output and generation efficiency those employing spatially homogeneous AlxGa1-xAs compound semiconductor within the whole frequency range for x=0-0.2.
|
| first_indexed | 2025-12-01T02:07:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100395 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-9636 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T02:07:10Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Радіоастрономічний інститут НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стороженко, И.П. 2016-05-20T20:15:33Z 2016-05-20T20:15:33Z 2006 Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений AlxGa1-xAs при x=0-0.2. Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown to outperform by output and generation efficiency those employing spatially homogeneous AlxGa1-xAs compound semiconductor within the whole frequency range for x=0-0.2. ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Физические основы электронных приборов Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts Article published earlier |
| spellingShingle | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами Стороженко, И.П. Физические основы электронных приборов |
| title | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_alt | Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts |
| title_full | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_fullStr | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_full_unstemmed | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_short | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_sort | диоды ганна на основе варизонного alx(z)ga1-x(z)as c различными катодными контактами |
| topic | Физические основы электронных приборов |
| topic_facet | Физические основы электронных приборов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 |
| work_keys_str_mv | AT storoženkoip diodygannanaosnovevarizonnogoalxzga1xzascrazličnymikatodnymikontaktami AT storoženkoip alxzga1xzasvaribandgunndiodeswithdifferentcathodecontacts |