Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходн...
Saved in:
| Published in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100395 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Стороженко, И.П. 2016-05-20T20:15:33Z 2016-05-20T20:15:33Z 2006 Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений AlxGa1-xAs при x=0-0.2. Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown to outperform by output and generation efficiency those employing spatially homogeneous AlxGa1-xAs compound semiconductor within the whole frequency range for x=0-0.2. ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Физические основы электронных приборов Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| spellingShingle |
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами Стороженко, И.П. Физические основы электронных приборов |
| title_short |
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_full |
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_fullStr |
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_full_unstemmed |
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами |
| title_sort |
диоды ганна на основе варизонного alx(z)ga1-x(z)as c различными катодными контактами |
| author |
Стороженко, И.П. |
| author_facet |
Стороженко, И.П. |
| topic |
Физические основы электронных приборов |
| topic_facet |
Физические основы электронных приборов |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Радиофизика и радиоастрономия |
| publisher |
Радіоастрономічний інститут НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts |
| description |
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходной мощности и эффективности генерации во всем диапазоне частот превосходят диоды на основе пространственно однородных по составу полупроводниковых соединений AlxGa1-xAs при x=0-0.2.
Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown to outperform by output and generation efficiency those employing spatially homogeneous AlxGa1-xAs compound semiconductor within the whole frequency range for x=0-0.2.
|
| issn |
1027-9636 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 |
| citation_txt |
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT storoženkoip diodygannanaosnovevarizonnogoalxzga1xzascrazličnymikatodnymikontaktami AT storoženkoip alxzga1xzasvaribandgunndiodeswithdifferentcathodecontacts |
| first_indexed |
2025-12-01T02:07:10Z |
| last_indexed |
2025-12-01T02:07:10Z |
| _version_ |
1850859079069597696 |