Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
von: Автомонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Автомонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2010)
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2010)
Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
von: Еру, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Еру, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2006)
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2006)
Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2007)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2007)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Иванов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2015)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2015)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondriuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: D. V. Kondriuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
The unit group of the group algebra Fq(Z9xZ3)
von: R. K. Sharma, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: R. K. Sharma, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2015)
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2015)
N-Wave Equations with Orthogonal Algebras: Z₂ and Z₂ × Z₂ Reductions and Soliton Solutions
von: Gerdjikov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gerdjikov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2012)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
von: Дюгаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дюгаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
von: Бакай, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Бакай, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Rosensweig instability in ferrofluids
von: Kats, E.I.
Veröffentlicht: (2011)
von: Kats, E.I.
Veröffentlicht: (2011)
Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
von: Межов-Деглин, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Межов-Деглин, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
von: O. V. Botsula, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. V. Botsula, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
von: Abouelaoualim, D.
Veröffentlicht: (2005)
von: Abouelaoualim, D.
Veröffentlicht: (2005)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)