Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов в варизонном полупроводнике исследована работа диодов Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As с n+-n и n+-n–-n катодами при различной длине активной области и толщине варизонного слоя. Показано, что Alx(z)Ga1-x(z)As диоды по выходн...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100395 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами / И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 2. — С. 186-197. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1-x(z)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2014)
Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P.
Опубліковано: (2013)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2015)
Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
The unit group of the group algebra Fq(Z9xZ3)
за авторством: R. K. Sharma, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: R. K. Sharma, та інші
Опубліковано: (2024)
Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)
N-Wave Equations with Orthogonal Algebras: Z₂ and Z₂ × Z₂ Reductions and Soliton Solutions
за авторством: Gerdjikov, V.S., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gerdjikov, V.S., та інші
Опубліковано: (2007)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Rosensweig instability in ferrofluids
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Impact ionization in short AlzGa1–zN-based diodes
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Botsula, та інші
Опубліковано: (2016)
Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
за авторством: Сизов, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Сизов, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)