GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| ISSN: | 1027-9636 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100448 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом / И.П. Стороженко, Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 4. — С. 385-396. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм-диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта.
The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active region and resonance electron tunneling in n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs diode cathode region are studied. It is shown that the GaAs Gunn diodes with AlAs-GaAs-AlAs resonance tunnel cathode may have three voltage-spaced zones of millimeter wavelength oscillation. The voltage-current, power and frequency characteristics are found for the diodes with different lengths of i:AlAs layers and cross-sectional areas of a cathode contact.
|
|---|---|
| ISSN: | 1027-9636 |