GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом

• Опубліковано в: : Радиофизика и радиоастрономия
• Дата: 2006
• Автори: Стороженко, И.П., Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2006
• Теми: Физические основы электронных приборов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100448
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом / И.П. Стороженко, Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 4. — С. 385-396. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...