Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
Проведены комплексные исследования акустических и акустооптических свойств стекол GexS100–x. Определены их основные параметры, такие как показатель преломления, плотность, скорости продольной и поперечной ультразвуковых волн, упругооптические коэффициенты, коэффициенты акустооптического качества. По...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | Блецкан, Д.И., Вакульчак, В.В., Феделеш, В.И. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100462 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе / Д.И. Блецкан, В.В. Вакульчак, В.И. Феделеш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 24-31. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
by: Bletskan, D. I., et al.
Published: (2014)
by: Bletskan, D. I., et al.
Published: (2014)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2009)
by: Готра, З.Ю., et al.
Published: (2009)
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
by: Джафарова, Э.А.
Published: (2006)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2008)
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2008)
Оптический аттенюатор
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2005)
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2005)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2011)
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2011)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)
Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2005)
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2005)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
by: Белянин, А.Ф., et al.
Published: (2005)
by: Белянин, А.Ф., et al.
Published: (2005)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2009)
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2009)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
by: Обухов, И.А.
Published: (2007)
by: Обухов, И.А.
Published: (2007)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
by: Ковальчук, В.А., et al.
Published: (2011)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2009)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2009)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012)
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2012)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2012)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2011)
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2011)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2016)
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2016)
Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
by: Павлюк, С.П., et al.
Published: (2007)
by: Павлюк, С.П., et al.
Published: (2007)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
by: Спирин, В.Г.
Published: (2013)
by: Спирин, В.Г.
Published: (2013)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
by: Габа, В.М.
Published: (2009)
by: Габа, В.М.
Published: (2009)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)
Similar Items
-
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
by: Bletskan, D. I., et al.
Published: (2014) -
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010) -
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012) -
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012) -
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
by: Войцеховский, А.В., et al.
Published: (2005)