Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возмож...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100465 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862532269437091840 |
|---|---|
| author | Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Корецкий, Р.Н. |
| author_facet | Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Корецкий, Р.Н. |
| citation_txt | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возможность их использования в качестве элементов твердотельной электроники, работоспособных при криогенных температурах.
Представлено результати дослідження електрофізичних властивостей полікристалічних плівок кремнію в структурах «кремній-на-ізоляторі» та ниткоподібних кристалів Si в температурному діапазоні 4,2—70 К, отримані за допомогою імпедансних вимірювань в діапазоні частот від 10 Гц до 250 кГц. Показано можливість їх використання як елементів твердотільної електроніки, працездатних при кріогенних температурах. Отримані імпедансні характеристики зразків вказують на можливість створення реактивних елементів твердотільної електроніки певних номіналів, придатних для роботи в умовах низьких температур, на основі полікристалічного і монокристалічного кремнію. На основі встановлених залежностей запропоновано окремі елементи твердотільної електроніки у вигляді ємнісних і індуктивних елементів та комплексну систему у вигляді коливального контуру, які працездатні при кріогенних температурах. Характеристики розробленої системи залежать як від структури зразків, так і від рівня їх легування, що дозволяє змінювати при необхідності параметри елементів в широких межах.
The paper presents the study results of electrical properties of polycrystalline silicon films in silicon-on-insulator structures and Si whiskers in the temperature range of 4,2—70 K obtained by impedance measurements in the frequency range from 10 Hz to 250 kHz and the possibility of their use in solid-state electronics, functioning at cryogenic temperatures. Characteristics of samples obtained with impedance measurements allow to predict certain specifications of reactive elements of solid state electronics based on polycrystalline and single crystalline silicon, operable at low temperatures. Using the established dependencies, separate elements in the form of solid-state electronics capacitive and inductive elements as well as a combined system in an oscillatory circuit, operable at cryogenic temperatures, have been suggested. The features of developed system depend on the structure of samples and their doping level, which allows to change the required parameters of the elements of solid state electronics in a wide range.
|
| first_indexed | 2025-11-24T04:03:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100465 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T04:03:26Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Корецкий, Р.Н. 2016-05-22T11:45:43Z 2016-05-22T11:45:43Z 2014 Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.46 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100465 625.315.592 Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возможность их использования в качестве элементов твердотельной электроники, работоспособных при криогенных температурах. Представлено результати дослідження електрофізичних властивостей полікристалічних плівок кремнію в структурах «кремній-на-ізоляторі» та ниткоподібних кристалів Si в температурному діапазоні 4,2—70 К, отримані за допомогою імпедансних вимірювань в діапазоні частот від 10 Гц до 250 кГц. Показано можливість їх використання як елементів твердотільної електроніки, працездатних при кріогенних температурах. Отримані імпедансні характеристики зразків вказують на можливість створення реактивних елементів твердотільної електроніки певних номіналів, придатних для роботи в умовах низьких температур, на основі полікристалічного і монокристалічного кремнію. На основі встановлених залежностей запропоновано окремі елементи твердотільної електроніки у вигляді ємнісних і індуктивних елементів та комплексну систему у вигляді коливального контуру, які працездатні при кріогенних температурах. Характеристики розробленої системи залежать як від структури зразків, так і від рівня їх легування, що дозволяє змінювати при необхідності параметри елементів в широких межах. The paper presents the study results of electrical properties of polycrystalline silicon films in silicon-on-insulator structures and Si whiskers in the temperature range of 4,2—70 K obtained by impedance measurements in the frequency range from 10 Hz to 250 kHz and the possibility of their use in solid-state electronics, functioning at cryogenic temperatures. Characteristics of samples obtained with impedance measurements allow to predict certain specifications of reactive elements of solid state electronics based on polycrystalline and single crystalline silicon, operable at low temperatures. Using the established dependencies, separate elements in the form of solid-state electronics capacitive and inductive elements as well as a combined system in an oscillatory circuit, operable at cryogenic temperatures, have been suggested. The features of developed system depend on the structure of samples and their doping level, which allows to change the required parameters of the elements of solid state electronics in a wide range. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур Елементи твердотільної електроніки на основі КНІ-структур та ниткоподібних кристалів si для кріогенних температур Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures Article published earlier |
| spellingShingle | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур Дружинин, А.А. Островский, И.П. Ховерко, Ю.Н. Корецкий, Р.Н. Материалы электроники |
| title | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур |
| title_alt | Елементи твердотільної електроніки на основі КНІ-структур та ниткоподібних кристалів si для кріогенних температур Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures |
| title_full | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур |
| title_fullStr | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур |
| title_full_unstemmed | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур |
| title_short | Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур |
| title_sort | элементы твердотельной электроники на основе кни-структур и нитевидных кристаллов si для криогенных температур |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100465 |
| work_keys_str_mv | AT družininaa élementytverdotelʹnoiélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur AT ostrovskiiip élementytverdotelʹnoiélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur AT hoverkoûn élementytverdotelʹnoiélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur AT koreckiirn élementytverdotelʹnoiélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur AT družininaa elementitverdotílʹnoíelektroníkinaosnovíknístrukturtanitkopodíbnihkristalívsidlâkríogennihtemperatur AT ostrovskiiip elementitverdotílʹnoíelektroníkinaosnovíknístrukturtanitkopodíbnihkristalívsidlâkríogennihtemperatur AT hoverkoûn elementitverdotílʹnoíelektroníkinaosnovíknístrukturtanitkopodíbnihkristalívsidlâkríogennihtemperatur AT koreckiirn elementitverdotílʹnoíelektroníkinaosnovíknístrukturtanitkopodíbnihkristalívsidlâkríogennihtemperatur AT družininaa elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures AT ostrovskiiip elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures AT hoverkoûn elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures AT koreckiirn elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures |