Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2014
• Main Authors: Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Корецкий, Р.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100465
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возмож...