Зображення обкладинки

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возмож...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2014
Автори:	Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Корецкий, Р.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100465
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
за авторством: Адамов, Г.Е., та інші
Опубліковано: (2005)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
за авторством: Севастьянов, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
за авторством: Алиева, Х.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
за авторством: Дуб, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Сравнительные исследования физико-химических и технологических свойств углеродных нанотрубок и углеродных нитевидных кристаллов
за авторством: Полторацкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Скачкообразная деформация металла в условиях воздействия импульсного магнитного поля и криогенных температур
за авторством: Стрижало, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
за авторством: Нинидзе, Г.К., та інші
Опубліковано: (2005)

Нелинейные процессы в твердотельной плазме в полевом транзисторе
за авторством: Булах, А.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Нестабильность деформации и прочность конструкционных сплавов в условиях концентрации напряжений и криогенных температур
за авторством: Воробьев, Е.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Оценка твердотельной диффузии метана в микропористой структуре угольного пласта
за авторством: Минеев, С.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
за авторством: Шварц, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2005)