Buchumschlag

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2—70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возмож...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Дружинин, А.А., Островский, И.П., Ховерко, Ю.Н., Корецкий, Р.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100465
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
von: Ховерко, Ю.Н.
Veröffentlicht: (2010)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотохромная чувствительность модифицированных пленок бактериородопсина для устройств молекулярной электроники
von: Адамов, Г.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Севастьянов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
von: Алиева, Х.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
von: Дуб, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Сравнительные исследования физико-химических и технологических свойств углеродных нанотрубок и углеродных нитевидных кристаллов
von: Полторацкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Скачкообразная деформация металла в условиях воздействия импульсного магнитного поля и криогенных температур
von: Стрижало, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
von: Нинидзе, Г.К., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Нелинейные процессы в твердотельной плазме в полевом транзисторе
von: Булах, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Нестабильность деформации и прочность конструкционных сплавов в условиях концентрации напряжений и криогенных температур
von: Воробьев, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оценка твердотельной диффузии метана в микропористой структуре угольного пласта
von: Минеев, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
von: Шварц, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)