Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование. При опро...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100466 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100466 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. 2016-05-22T11:47:45Z 2016-05-22T11:47:45Z 2014 Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.51 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100466 535.14:621.365.826 При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование. При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування. There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| spellingShingle |
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. Материалы электроники |
| title_short |
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_full |
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_fullStr |
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_full_unstemmed |
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_sort |
ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. часть вторая: эксперимент |
| author |
Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. |
| author_facet |
Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. |
| topic |
Материалы электроники |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment |
| description |
При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.
При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.
There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100466 |
| citation_txt |
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT garkavenkoas ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT mokrickiiva ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT banzakov ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT zavadskiiva ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT garkavenkoas íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT mokrickiiva íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT banzakov íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT zavadskiiva íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT garkavenkoas ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment AT mokrickiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment AT banzakov ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment AT zavadskiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment |
| first_indexed |
2025-12-07T18:56:26Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:56:26Z |
| _version_ |
1850876925661151232 |