Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование. При опро...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100466 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862726202582630400 |
|---|---|
| author | Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. |
| author_facet | Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. |
| citation_txt | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.
При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.
There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:56:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100466 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:56:26Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. 2016-05-22T11:47:45Z 2016-05-22T11:47:45Z 2014 Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 5-6. — С. 51-56. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.2.51 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100466 535.14:621.365.826 При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование. При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. У цій статті наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування. There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment Article published earlier |
| spellingShingle | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. Материалы электроники |
| title | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_alt | Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина друга: експеримент Ionization annealing of semiconductor crystals. Part two: the experiment |
| title_full | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_fullStr | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_full_unstemmed | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_short | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент |
| title_sort | ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. часть вторая: эксперимент |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100466 |
| work_keys_str_mv | AT garkavenkoas ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT mokrickiiva ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT banzakov ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT zavadskiiva ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹvtoraâéksperiment AT garkavenkoas íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT mokrickiiva íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT banzakov íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT zavadskiiva íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinadrugaeksperiment AT garkavenkoas ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment AT mokrickiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment AT banzakov ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment AT zavadskiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalsparttwotheexperiment |