Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100476 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В.В. Басанец, В.С. Слепокуров, В.В. Шинкаренко, Р.Я. Кудрик, Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862732748000591872 |
|---|---|
| author | Басанец, В.В. Слепокуров, В.С. Шинкаренко, В.В. Кудрик, Р.Я. Кудрик, Я.Я. |
| author_facet | Басанец, В.В. Слепокуров, В.С. Шинкаренко, В.В. Кудрик, Р.Я. Кудрик, Я.Я. |
| citation_txt | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В.В. Басанец, В.С. Слепокуров, В.В. Шинкаренко, Р.Я. Кудрик, Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9—2)•10⁻⁵ Ом•см². При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100—200 К преобладает полевой механизм токопереноса, в диапазоне 200—360 К — термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.
Досліджено питомий опір омічного контакту Au—Ti—Pd—n-Si і механізм струмопротікання в інтервалі температур 100—360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9—2,0)∙10⁻⁵ Ом∙см². На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єру 0,22 еВ в температурному діапазоні 100—200 К переважає польовий механізм струмопротікання, в діапазоні 200—360 К — термопольовий з енергією активації 0,08 еВ.
Both contact resistivity of Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100—360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9—2)•10⁻⁵ Ω•cm²). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100—200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200—360 K temperature range.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:33:08Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100476 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:33:08Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Басанец, В.В. Слепокуров, В.С. Шинкаренко, В.В. Кудрик, Р.Я. Кудрик, Я.Я. 2016-05-22T14:24:41Z 2016-05-22T14:24:41Z 2015 Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В.В. Басанец, В.С. Слепокуров, В.В. Шинкаренко, Р.Я. Кудрик, Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.1.33 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100476 538.91 Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9—2)•10⁻⁵ Ом•см². При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100—200 К преобладает полевой механизм токопереноса, в диапазоне 200—360 К — термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ. Досліджено питомий опір омічного контакту Au—Ti—Pd—n-Si і механізм струмопротікання в інтервалі температур 100—360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9—2,0)∙10⁻⁵ Ом∙см². На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єру 0,22 еВ в температурному діапазоні 100—200 К переважає польовий механізм струмопротікання, в діапазоні 200—360 К — термопольовий з енергією активації 0,08 еВ. Both contact resistivity of Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100—360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9—2)•10⁻⁵ Ω•cm²). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100—200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200—360 K temperature range. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов Дослідження питомого опору омічних контактів Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролітних діодів Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов Басанец, В.В. Слепокуров, В.С. Шинкаренко, В.В. Кудрик, Р.Я. Кудрик, Я.Я. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов |
| title_alt | Дослідження питомого опору омічних контактів Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролітних діодів Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes |
| title_full | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов |
| title_fullStr | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов |
| title_full_unstemmed | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов |
| title_short | Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов |
| title_sort | исследование удельного сопротивления омических контактов au—ti—pd—n-si для лавинно-пролетных диодов |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100476 |
| work_keys_str_mv | AT basanecvv issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov AT slepokurovvs issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov AT šinkarenkovv issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov AT kudrikrâ issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov AT kudrikââ issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov AT basanecvv doslídžennâpitomogooporuomíčnihkontaktívautipdnsidlâlavinnoprolítnihdíodív AT slepokurovvs doslídžennâpitomogooporuomíčnihkontaktívautipdnsidlâlavinnoprolítnihdíodív AT šinkarenkovv doslídžennâpitomogooporuomíčnihkontaktívautipdnsidlâlavinnoprolítnihdíodív AT kudrikrâ doslídžennâpitomogooporuomíčnihkontaktívautipdnsidlâlavinnoprolítnihdíodív AT kudrikââ doslídžennâpitomogooporuomíčnihkontaktívautipdnsidlâlavinnoprolítnihdíodív AT basanecvv investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes AT slepokurovvs investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes AT šinkarenkovv investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes AT kudrikrâ investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes AT kudrikââ investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes |