Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2015
• Автори: Басанец, В.В., Слепокуров, В.С., Шинкаренко, В.В., Кудрик, Р.Я., Кудрик, Я.Я.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100476
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В.В. Басанец, В.С. Слепокуров, В.В. Шинкаренко, Р.Я. Кудрик, Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения...