Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором

Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определен...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2015
Main Authors: Баранов, В.В., Боровик, А.М., Ловшенко, И.Ю., Стемпицкий, В.Р., Чан Туан Чунг, Шелибак, И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100477
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В.В. Баранов, А.М. Боровик, И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, Чан Туан Чунг, И. Шелибак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100477
record_format dspace
spelling Баранов, В.В.
Боровик, А.М.
Ловшенко, И.Ю.
Стемпицкий, В.Р.
Чан Туан Чунг
Шелибак, И.
2016-05-22T14:27:07Z
2016-05-22T14:27:07Z
2015
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В.В. Баранов, А.М. Боровик, И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, Чан Туан Чунг, И. Шелибак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2015.1.38
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100477
(621.382.3: 546.28): 537.852
Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определения разброса значений выходной характеристики посредством анализа в цикле Монте-Карло, а также расчета допустимых отклонений входных параметров, в наибольшей степени влияющих на пороговое напряжение.
Реалізовано процедуру оптимізації граничної напруги біполярного транзистора з ізольованим затвором. За допомогою експерименту, що відсіває, виявлено вхідні параметри, які найбільш суттєво впливають на вихідну величину (граничну напругу). Проведено експериментальні дослідження з використанням методу поверхні відгуків для визначення розкиду вихідних характеристик за допомогою аналізу в циклі Монте-Карло, а також розрахунку допустимих відхилень вхідних параметрів, що впливають на порогову напругу в найбільшій мірі.
Procedure of the IGBT threshold voltage optimization was realized. Through screening experiments according to the Plackett-Burman design the most important input parameters (factors) that have the greatest impact on the output characteristic was detected. The coefficients of the approximation polynomial adequately describing the relationship between the input parameters and investigated output characteristics ware determined. Using the calculated approximation polynomial, a series of multiple, in a cycle of Monte Carlo, calculations to determine the spread of threshold voltage values at selected ranges of input parameters deviation were carried out. Combinations of input process parameters values were determined randomly by a normal distribution within a given range of changes. The procedure of IGBT process parameters optimization consist a mathematical problem of determining the value range of the input significant structural and technological parameters providing the change of the IGBT threshold voltage in a given interval. The presented results demonstrate the effectiveness of the proposed optimization techniques.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
Статистичний аналіз і оптимізація параметрів технології виготовлення біполярного транзистора з ізольованим затвором
Statistical analysis and optimization of IGBT manufacturing flow
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
spellingShingle Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
Баранов, В.В.
Боровик, А.М.
Ловшенко, И.Ю.
Стемпицкий, В.Р.
Чан Туан Чунг
Шелибак, И.
Технологические процессы и оборудование
title_short Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
title_full Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
title_fullStr Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
title_full_unstemmed Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
title_sort статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
author Баранов, В.В.
Боровик, А.М.
Ловшенко, И.Ю.
Стемпицкий, В.Р.
Чан Туан Чунг
Шелибак, И.
author_facet Баранов, В.В.
Боровик, А.М.
Ловшенко, И.Ю.
Стемпицкий, В.Р.
Чан Туан Чунг
Шелибак, И.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2015
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Статистичний аналіз і оптимізація параметрів технології виготовлення біполярного транзистора з ізольованим затвором
Statistical analysis and optimization of IGBT manufacturing flow
description Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определения разброса значений выходной характеристики посредством анализа в цикле Монте-Карло, а также расчета допустимых отклонений входных параметров, в наибольшей степени влияющих на пороговое напряжение. Реалізовано процедуру оптимізації граничної напруги біполярного транзистора з ізольованим затвором. За допомогою експерименту, що відсіває, виявлено вхідні параметри, які найбільш суттєво впливають на вихідну величину (граничну напругу). Проведено експериментальні дослідження з використанням методу поверхні відгуків для визначення розкиду вихідних характеристик за допомогою аналізу в циклі Монте-Карло, а також розрахунку допустимих відхилень вхідних параметрів, що впливають на порогову напругу в найбільшій мірі. Procedure of the IGBT threshold voltage optimization was realized. Through screening experiments according to the Plackett-Burman design the most important input parameters (factors) that have the greatest impact on the output characteristic was detected. The coefficients of the approximation polynomial adequately describing the relationship between the input parameters and investigated output characteristics ware determined. Using the calculated approximation polynomial, a series of multiple, in a cycle of Monte Carlo, calculations to determine the spread of threshold voltage values at selected ranges of input parameters deviation were carried out. Combinations of input process parameters values were determined randomly by a normal distribution within a given range of changes. The procedure of IGBT process parameters optimization consist a mathematical problem of determining the value range of the input significant structural and technological parameters providing the change of the IGBT threshold voltage in a given interval. The presented results demonstrate the effectiveness of the proposed optimization techniques.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100477
citation_txt Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В.В. Баранов, А.М. Боровик, И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, Чан Туан Чунг, И. Шелибак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT baranovvv statističeskiianalizioptimizaciâparametrovtehnologiiizgotovleniâbipolârnogotranzistorasizolirovannymzatvorom
AT borovikam statističeskiianalizioptimizaciâparametrovtehnologiiizgotovleniâbipolârnogotranzistorasizolirovannymzatvorom
AT lovšenkoiû statističeskiianalizioptimizaciâparametrovtehnologiiizgotovleniâbipolârnogotranzistorasizolirovannymzatvorom
AT stempickiivr statističeskiianalizioptimizaciâparametrovtehnologiiizgotovleniâbipolârnogotranzistorasizolirovannymzatvorom
AT čantuančung statističeskiianalizioptimizaciâparametrovtehnologiiizgotovleniâbipolârnogotranzistorasizolirovannymzatvorom
AT šelibaki statističeskiianalizioptimizaciâparametrovtehnologiiizgotovleniâbipolârnogotranzistorasizolirovannymzatvorom
AT baranovvv statističniianalízíoptimízacíâparametrívtehnologíívigotovlennâbípolârnogotranzistorazízolʹovanimzatvorom
AT borovikam statističniianalízíoptimízacíâparametrívtehnologíívigotovlennâbípolârnogotranzistorazízolʹovanimzatvorom
AT lovšenkoiû statističniianalízíoptimízacíâparametrívtehnologíívigotovlennâbípolârnogotranzistorazízolʹovanimzatvorom
AT stempickiivr statističniianalízíoptimízacíâparametrívtehnologíívigotovlennâbípolârnogotranzistorazízolʹovanimzatvorom
AT čantuančung statističniianalízíoptimízacíâparametrívtehnologíívigotovlennâbípolârnogotranzistorazízolʹovanimzatvorom
AT šelibaki statističniianalízíoptimízacíâparametrívtehnologíívigotovlennâbípolârnogotranzistorazízolʹovanimzatvorom
AT baranovvv statisticalanalysisandoptimizationofigbtmanufacturingflow
AT borovikam statisticalanalysisandoptimizationofigbtmanufacturingflow
AT lovšenkoiû statisticalanalysisandoptimizationofigbtmanufacturingflow
AT stempickiivr statisticalanalysisandoptimizationofigbtmanufacturingflow
AT čantuančung statisticalanalysisandoptimizationofigbtmanufacturingflow
AT šelibaki statisticalanalysisandoptimizationofigbtmanufacturingflow
first_indexed 2025-12-07T19:37:19Z
last_indexed 2025-12-07T19:37:19Z
_version_ 1850879497864216577

Similar Items