Buchumschlag

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором

Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определен...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2015
Hauptverfasser: Баранов, В.В., Боровик, А.М., Ловшенко, И.Ю., Стемпицкий, В.Р., Чан Туан Чунг, Шелибак, И.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Schlagworte:
Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100477
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В.В. Баранов, А.М. Боровик, И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, Чан Туан Чунг, И. Шелибак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge