Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Баранов, В.В., Боровик, А.М., Ловшенко, И.Ю., Стемпицкий, В.Р., Чан Туан Чунг, Шелибак, И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100477
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В.В. Баранов, А.М. Боровик, И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, Чан Туан Чунг, И. Шелибак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 38-43. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определен...