Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system
Modernization of horizontal low pressure deposition system has been performed. The liquid source delivery system using the bubblers has been developed. The PSG and BPSG film deposition processes and film properties using TEOS-Dimethylphosphite-TEB system have been studied. It is shown that the use o...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100479 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system / A.S. Turtsevich, O.Y. Nalivaiko // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 49-58. — Бібліогр.: 34 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547412646625280 |
|---|---|
| author | Turtsevich, A.S. Nalivaiko, O.Y. |
| author_facet | Turtsevich, A.S. Nalivaiko, O.Y. |
| citation_txt | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system / A.S. Turtsevich, O.Y. Nalivaiko // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 49-58. — Бібліогр.: 34 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Modernization of horizontal low pressure deposition system has been performed. The liquid source delivery system using the bubblers has been developed. The PSG and BPSG film deposition processes and film properties using TEOS-Dimethylphosphite-TEB system have been studied. It is shown that the use of dimethylphosphite allows varying the phosphorus concentration in the wide range. It is found that the optimal range of the total boron and phosphorus concentration ensuring the acceptable topology planarity and resistance to defect formation during storage is 8.7?0.3 wt% when the phosphorus concentration is 3.0—3.8 wt%. It is found that at use of the TEOS-DMP-TEB system the depletion of the phosphorus concentration along reaction zone does not occur, and the total dopant concentration is practically constant. At the same time the deposition rate of BPSG films is 9.0—10.0 nm/min and the good film thickness uniformity are ensured. The as-deposited films have “mirror-like surface” that is proof of minimal surface roughness. The BPSG films with optimal composition are characterized by the reduced reaction capability against atmospheric moisture.
Проведена модернизация горизонтального реактора пониженного давления. Разработана система подачи жидкого реагента с использованием барботеров. Исследованы процессы осаждения пленок и свойства пленок ФСС и БФСС с использованием системы ТЭОС-диметилфосфит(ДМФ)-триметилборат(ТМФ).
Проведено модернізацію горизонтального реактора зниженого тиску. Розроблено систему подачі рідкого реагенту з використанням барботерів. Досліджено процеси осадження плівок і властивості плівок ФСС і БФСС з використанням системи ТЕОС-діметілфосфіт(ДМФ)-тріметілборат(ТМФ).
|
| first_indexed | 2025-11-25T15:29:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100479 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-25T15:29:15Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Turtsevich, A.S. Nalivaiko, O.Y. 2016-05-22T14:31:10Z 2016-05-22T14:31:10Z 2015 Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system / A.S. Turtsevich, O.Y. Nalivaiko // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 49-58. — Бібліогр.: 34 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.1.49 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100479 621.315.612 Modernization of horizontal low pressure deposition system has been performed. The liquid source delivery system using the bubblers has been developed. The PSG and BPSG film deposition processes and film properties using TEOS-Dimethylphosphite-TEB system have been studied. It is shown that the use of dimethylphosphite allows varying the phosphorus concentration in the wide range. It is found that the optimal range of the total boron and phosphorus concentration ensuring the acceptable topology planarity and resistance to defect formation during storage is 8.7?0.3 wt% when the phosphorus concentration is 3.0—3.8 wt%. It is found that at use of the TEOS-DMP-TEB system the depletion of the phosphorus concentration along reaction zone does not occur, and the total dopant concentration is practically constant. At the same time the deposition rate of BPSG films is 9.0—10.0 nm/min and the good film thickness uniformity are ensured. The as-deposited films have “mirror-like surface” that is proof of minimal surface roughness. The BPSG films with optimal composition are characterized by the reduced reaction capability against atmospheric moisture. Проведена модернизация горизонтального реактора пониженного давления. Разработана система подачи жидкого реагента с использованием барботеров. Исследованы процессы осаждения пленок и свойства пленок ФСС и БФСС с использованием системы ТЭОС-диметилфосфит(ДМФ)-триметилборат(ТМФ). Проведено модернізацію горизонтального реактора зниженого тиску. Розроблено систему подачі рідкого реагенту з використанням барботерів. Досліджено процеси осадження плівок і властивості плівок ФСС і БФСС з використанням системи ТЕОС-діметілфосфіт(ДМФ)-тріметілборат(ТМФ). en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС-диметилфосфит-триметилборат Осадження плівок борофосфоросілікатного скла з використанням системи ТЕОС-діметилфосфіт-тртриметілборат Article published earlier |
| spellingShingle | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system Turtsevich, A.S. Nalivaiko, O.Y. Материалы электроники |
| title | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system |
| title_alt | Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС-диметилфосфит-триметилборат Осадження плівок борофосфоросілікатного скла з використанням системи ТЕОС-діметилфосфіт-тртриметілборат |
| title_full | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system |
| title_fullStr | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system |
| title_full_unstemmed | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system |
| title_short | Deposition of borophosphosilicate glass films using the TEOS–dimethylphosphite–trimethylborate system |
| title_sort | deposition of borophosphosilicate glass films using the teos–dimethylphosphite–trimethylborate system |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100479 |
| work_keys_str_mv | AT turtsevichas depositionofborophosphosilicateglassfilmsusingtheteosdimethylphosphitetrimethylboratesystem AT nalivaikooy depositionofborophosphosilicateglassfilmsusingtheteosdimethylphosphitetrimethylboratesystem AT turtsevichas osaždenieplenokborofosforosilikatnogosteklasispolʹzovaniemsistemytéosdimetilfosfittrimetilborat AT nalivaikooy osaždenieplenokborofosforosilikatnogosteklasispolʹzovaniemsistemytéosdimetilfosfittrimetilborat AT turtsevichas osadžennâplívokborofosforosílíkatnogosklazvikoristannâmsistemiteosdímetilfosfíttrtrimetílborat AT nalivaikooy osadžennâplívokborofosforosílíkatnogosklazvikoristannâmsistemiteosdímetilfosfíttrtrimetílborat |