Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2015
• Main Authors: Дружинин, А.А., Марьямова, И.И., Кутраков, А.П., Лях-Кагуй, Н.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
• Subjects: Сенсоэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100543
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5—20,0)•10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Исследовано влияние температуры в диапазоне от –60 до +60°С на сопротивление и коэффициент КГ этих кристаллов. Рассмотрена возможность уменьшения температурной зависимости сопротивления путем закрепления чувствительного элемента датчика на подложках из различных материалов с различным коэффициентом линейного термического расширения. Приведена конструкция разработанного датчика и его основные характеристики. Досліджено вплив гідростатичного тиску (до 5000 бар) на опір ниткоподібних кристалів антимоніда галію n-типу, легованих селеном або телуром. Визначено величину коефіцієнта гідростатичного тиску для цих кристалів: КГ = (16,5—20,0)∙10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Досліджено вплив температури в діапазоні від –60 до +60°С на опір та на коефіцієнт КГ цих кристалів. Розглянуто можливість зменшення температурної залежності опору шляхом закріплення чутливого елемента датчика на підкладках з різних матеріалів з різним коефіцієнтом лінійного термічного розширення. Наведено конструкцію розробленого датчика і його основні характеристики Effect of hydrostatic pressure up to 5000 bar on the resistance of n-type antimonide gallium whiskers doped by Se or Te was studied. Coefficient of hydrostatic pressure for this crystals was determined, it equals Kh = (16,5—20,0)•10⁻⁵ bar⁻¹ at 20°N. Temperature dependence of resistance and coefficient Kh for this crystals in the temperature range ±60°N was studied. Design of the developed hydrostatic pressure sensor based on GaSb whiskers and its characteristics are presented.