Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5—20,0)•10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Исследовано влияние...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2015 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100543 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862545657254903808 |
|---|---|
| author | Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Кутраков, А.П. Лях-Кагуй, Н.С. |
| author_facet | Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Кутраков, А.П. Лях-Кагуй, Н.С. |
| citation_txt | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5—20,0)•10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Исследовано влияние температуры в диапазоне от –60 до +60°С на сопротивление и коэффициент КГ этих кристаллов. Рассмотрена возможность уменьшения температурной зависимости сопротивления путем закрепления чувствительного элемента датчика на подложках из различных материалов с различным коэффициентом линейного термического расширения. Приведена конструкция разработанного датчика и его основные характеристики.
Досліджено вплив гідростатичного тиску (до 5000 бар) на опір ниткоподібних кристалів антимоніда галію n-типу, легованих селеном або телуром. Визначено величину коефіцієнта гідростатичного тиску для цих кристалів: КГ = (16,5—20,0)∙10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Досліджено вплив температури в діапазоні від –60 до +60°С на опір та на коефіцієнт КГ цих кристалів. Розглянуто можливість зменшення температурної залежності опору шляхом закріплення чутливого елемента датчика на підкладках з різних матеріалів з різним коефіцієнтом лінійного термічного розширення. Наведено конструкцію розробленого датчика і його основні характеристики
Effect of hydrostatic pressure up to 5000 bar on the resistance of n-type antimonide gallium whiskers doped by Se or Te was studied. Coefficient of hydrostatic pressure for this crystals was determined, it equals Kh = (16,5—20,0)•10⁻⁵ bar⁻¹ at 20°N. Temperature dependence of resistance and coefficient Kh for this crystals in the temperature range ±60°N was studied. Design of the developed hydrostatic pressure sensor based on GaSb whiskers and its characteristics are presented.
|
| first_indexed | 2025-11-25T06:19:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-100543 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T06:19:44Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Кутраков, А.П. Лях-Кагуй, Н.С. 2016-05-22T19:55:10Z 2016-05-22T19:55:10Z 2015 Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 4. — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2015.4.19 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100543 621.315.592 Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5—20,0)•10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Исследовано влияние температуры в диапазоне от –60 до +60°С на сопротивление и коэффициент КГ этих кристаллов. Рассмотрена возможность уменьшения температурной зависимости сопротивления путем закрепления чувствительного элемента датчика на подложках из различных материалов с различным коэффициентом линейного термического расширения. Приведена конструкция разработанного датчика и его основные характеристики. Досліджено вплив гідростатичного тиску (до 5000 бар) на опір ниткоподібних кристалів антимоніда галію n-типу, легованих селеном або телуром. Визначено величину коефіцієнта гідростатичного тиску для цих кристалів: КГ = (16,5—20,0)∙10⁻⁵ бар⁻¹ при 20°С. Досліджено вплив температури в діапазоні від –60 до +60°С на опір та на коефіцієнт КГ цих кристалів. Розглянуто можливість зменшення температурної залежності опору шляхом закріплення чутливого елемента датчика на підкладках з різних матеріалів з різним коефіцієнтом лінійного термічного розширення. Наведено конструкцію розробленого датчика і його основні характеристики Effect of hydrostatic pressure up to 5000 bar on the resistance of n-type antimonide gallium whiskers doped by Se or Te was studied. Coefficient of hydrostatic pressure for this crystals was determined, it equals Kh = (16,5—20,0)•10⁻⁵ bar⁻¹ at 20°N. Temperature dependence of resistance and coefficient Kh for this crystals in the temperature range ±60°N was studied. Design of the developed hydrostatic pressure sensor based on GaSb whiskers and its characteristics are presented. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия Датчик гідростатичного тиску на основі мікрокристалів антимоніда галію Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals Article published earlier |
| spellingShingle | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия Дружинин, А.А. Марьямова, И.И. Кутраков, А.П. Лях-Кагуй, Н.С. Сенсоэлектроника |
| title | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия |
| title_alt | Датчик гідростатичного тиску на основі мікрокристалів антимоніда галію Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals |
| title_full | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия |
| title_fullStr | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия |
| title_full_unstemmed | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия |
| title_short | Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия |
| title_sort | датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/100543 |
| work_keys_str_mv | AT družininaa datčikgidrostatičeskogodavleniânaosnovemikrokristallovantimonidagalliâ AT marʹâmovaii datčikgidrostatičeskogodavleniânaosnovemikrokristallovantimonidagalliâ AT kutrakovap datčikgidrostatičeskogodavleniânaosnovemikrokristallovantimonidagalliâ AT lâhkaguins datčikgidrostatičeskogodavleniânaosnovemikrokristallovantimonidagalliâ AT družininaa datčikgídrostatičnogotiskunaosnovímíkrokristalívantimonídagalíû AT marʹâmovaii datčikgídrostatičnogotiskunaosnovímíkrokristalívantimonídagalíû AT kutrakovap datčikgídrostatičnogotiskunaosnovímíkrokristalívantimonídagalíû AT lâhkaguins datčikgídrostatičnogotiskunaosnovímíkrokristalívantimonídagalíû AT družininaa sensorofhydrostaticpressurebasedongalliumantimonidemicrocrystals AT marʹâmovaii sensorofhydrostaticpressurebasedongalliumantimonidemicrocrystals AT kutrakovap sensorofhydrostaticpressurebasedongalliumantimonidemicrocrystals AT lâhkaguins sensorofhydrostaticpressurebasedongalliumantimonidemicrocrystals |